IRFP22N60K
4/2/02
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smps 场效应晶体管
HEXFET
电源 场效应晶体管
hard 切换 primary 或者 pfs 转变
转变 模式 电源 供应 (smps)
uninterruptible 电源 供应
高 速 电源 切换
发动机 驱动
益处
产品
低 门 承担 qg 结果 在 简单的 驱动 必要条件
改进 门, avalanche 和 动态 dv/dt 强壮
全部地 典型 电容 和 avalanche 电压 和
电流
增强 身体 二极管 dv/dt 能力
参数 最大值 单位
I
D
@ t
C
= 25°c 持续的 流 电流, v
GS
@ 10v 22
I
D
@ t
C
= 100°c 持续的 流 电流, v
GS
@ 10v 14 一个
I
DM
搏动 流 电流
88
P
D
@T
C
= 25°c 电源 消耗 370 W
直线的 减额 因素 2.9 w/°c
V
GS
门-至-源电压 ± 30 V
dv/dt 顶峰 二极管 恢复 dv/dt
15 v/ns
T
J
运行 接合面 和 -55 至 + 150
T
STG
存储 温度 范围
焊接 温度, 为 10 秒 300
(1.6mm 从 情况 )
°C
绝对 最大 比率
avalanche 特性
标识 参数 典型值 最大值 单位
E
作
单独的 脉冲波 avalanche 活力
––– 380 mJ
I
AR
avalanche 电流
––– 22 一个
E
AR
repetitive avalanche 活力
––– 37 mJ
标识 参数 典型值 最大值 单位
R
θ
JC
接合面-至-情况 ––– 0.34
R
θ
CS
情况-至-下沉, flat, greased 表面 0.24 ––– °c/w
R
θ
JA
接合面-至-包围的 ––– 40
热的 阻抗
V
DSS
R
ds(在)
典型值 I
D
600V 240m
Ω
22A
至-247ac
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