IRFP3415
HEXFET
®
电源 场效应晶体管
s
d
g
参数 最大值 单位
我
d
@ t
c
= 25
°
c 连续 排水管 电流, v
gs
@ 10v 43
我
d
@ t
c
= 100
°
c 连续 排水管 电流, v
gs
@ 10v 30 一个
我
dm
脉冲 排水管 电流
150
p
d
@T
c
= 25
°
c 电源 耗散 200 w
线性 降额 因素 1.3 w/
°
c
v
gs
栅极到源极 电压 ± 20 v
e?
作为
单独 脉冲 雪崩 能源
590 mj
我
ar
雪崩 电流
22 一个
e?
ar
重复性 雪崩 能源
20 mj
设计验证/dt 峰值 二极管 回收 设计验证/dt
5.0 v/ns
t
j
操作 接合点 和 -55 至 + 175
t
stg
存储 温度 范围
焊接 温度, 用于 10 秒 300(1.6mm从案例)
°
c
安装 扭矩, 6-32 或 m3 srew 10 lbf
•
入点 (1.1n
•
m)
绝对 最大值 额定值
参数 典型值 最大值 单位
右
θ
jc
连接至壳体
–––
0.75
右
θ
cs
案例-至-水槽, 扁平, 润滑 表面 0.50
––– °
c/w
右
θ
ja
交叉点到环境
–––
62
热 电阻
v
DSS
= 150v
右
ds(开启)
= 0.042
Ω
我
d
= 43a
高级 流程 技术
动态 设计验证/dt 评级
175
°
c 操作 温度
快 开关
完全 雪崩 额定
描述
8/16/00
第五 世代 hexfet
®
电源 mosfets 从
国际 整流器 利用 高级 加工
技术 至 实现 极其 低 导通电阻 按
硅 面积. 这个 效益, 合并 与 这 快
开关 速度 和 加固 设备 设计 那
hexfet 电源 mosfets 是 井 已知 用于, 提供
这 设计师 与 一个 极其 高效 和 可靠
设备 用于 使用 入点 一个 宽 品种 的 应用程序.
这 至-247 包装 是 首选 用于 商业-
工业 应用程序 在哪里 较高 电源 级别
排除 这 使用 的 至-220 设备. 这 至-247 是
类似 但是 上级 至 这 较早 至-218 包装
因为 的 其 隔离 安装 孔.
www.irf.com 1
至-247ac
pd - 93962
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