pd - 9.1253
HEXFET
®
电源 场效应晶体管
IRFU2605
IRFR2605
v
DSS
= 55v
右
ds(开启)
= 0.075
Ω
我
d
= 19a
超 低 导通电阻
esd 保护
表面 安装 (irfr2605)
直线 铅 (irfu2605)
150°c 操作 温度
重复性 雪崩 额定
快 开关
描述
第四 世代 hexfets 从 国际 整流器 利用 高级
加工 技术 那 实现 极其 低 导通电阻 按 硅 面积
和 允许 静电 放电 保护 至 是 综合 入点 这 闸门 结构.
这些 好处, 合并 与 这 加固 设备 设计 那 hexfets 是
已知 用于, 提供 这 设计师 与 极其 高效 和 可靠 设备 用于 使用
入点 一个 宽 品种 的 应用程序.
这 d-pak 是 设计 用于 表面 安装 使用 蒸气 相位, 红外线, 或 波浪
焊接 技术. 这 直线 铅 版本 (irfu 系列) 是 用于 通孔
安装 应用程序. 电源 耗散 级别 向上 至 1.5 瓦特 是 可能 入点
典型 表面 安装 应用程序.
绝对 最大值 额定值
参数 最大值 单位
我
d
@ t
c
= 25°c 连续 排水管 电流, v
gs
@ 10v 19
我
d
@ t
c
= 100°c 连续 排水管 电流, v
gs
@ 10v 12 一个
我
dm
脉冲 排水管 电流 76
p
d
@T
c
= 25°c 电源 耗散 50
p
d
@T
c
= 25°c 电源 耗散 (pcb 安装)** 3.1
线性 降额 因素 0.40
线性 降额 因素 (pcb 安装)** 0.025
v
gs
栅极到源极 电压 ±20 v
e?
作为
单独 脉冲 雪崩 能源 100 mJ
我
ar
雪崩 电流 12 一个
e?
ar
重复性 雪崩 能源 5.0 mJ
设计验证/dt 峰值 二极管 回收 设计验证/dt 4.5 v/ns
t
j,
t
stg
接合点 和存储 温度 范围 -55 至 + 150
焊接 温度, 用于 10 秒 300 (1.6mm 从 案例)
v
esd
人类 车身 型号, 100pf, 1.5k
Ω
2000 v
热 电阻
参数 最小值 典型值 最大值 单位
右
θ
jc
连接至壳体 — — 2.5
右
θ
ja
交叉点到环境 (pcb 安装)** — — 40 °c/w
右
θ
ja
交叉点到环境 — — 62
** 当 已安装 开启 1" 方块字 pcb (右前-4 或 g-10 材料).
用于 推荐 占地面积 和 焊接 技术 参考 至 应用程序 备注 #an-994.
w/°c
w
°C
g
d
s
d-PAK
to-252AA
我-PAK
to-251AA
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