绝对 最大值 额定值
参数 单位
我
d
@ v
gs
= 10v, t
c
= 25°c 连续 排水管 电流 22*
我
d
@ v
gs
= 10v, t
c
= 100°c 连续 排水管电流 22*
我
dm
脉冲 排水管 电流
➀
88
p
d
@ t
c
= 25°c 最大值电源耗散 75 w
线性 降额 因素 0.60
w/°c
v
gs
栅极到源极 电压 ±16 v
e?
作为
单独 脉冲 雪崩 能源
➁
190 mj
我
ar
雪崩 电流
➀
22 一个
e?
ar
重复性 雪崩 能源
➀
7.5 mj
设计验证/dt peak 二极管 回收 设计验证/dt
➂
1.0
v/ns
t
j
操作接合点 -55 至 150
t
stg
存储 温度 范围
包装 安装 表面 温度 300 (用于 5 s)
重量 1.0 g
第五 世代 hexfet
®
电源 mosfets 从
国际 整流器 利用 高级 加工
技术 至 实现 这 最低 可能 导通电阻
按 硅 单位 面积. 这个 效益, 合并 与 这
快 开关 速度 和 加固 设备 设计
那 hexfet 电源 mosfets 是 井 已知 用于,
提供 这 设计师 与 一个 极其 高效 设备
用于 使用 入点 一个 宽 品种 的 应用程序.
这些 设备 是 非常适合 用于 应用程序 这样的
作为 开关 电源 供应品, 电机 控件, 倒置-
ers, 斩波器, 音频 放大器 和 高能量 脉冲
电路.
o
c
一个
7/6/01
www.irf.com 1
30v, n通道
smd-0.5
产品 摘要
零件 号码
BV
DSS
右
ds(开启)
我
d
irl5nj7413 30v 0.014
Ω
22A*
特点:
低 右
ds(开启)
雪崩 能源 额定值
动态 设计验证/dt 评级
简单 驱动器 要求
轻松 的 平行
密封 密封
表面 安装
灯光 重量
用于 脚注 参考 至 这 最后一个 第页
* 电流 是 有限 由 包装
HEXFET
®
电源 场效应晶体管
表面 安装 (smd-0.5)
IRL5NJ7413
pd - 94271a
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