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应用程序 具体 Discretes
一个.s.d.™
TPI8011N
TPI12011N
®
8月 2001- ed : 3A
小费
地
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戒指
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原理图 图表
■
双向 三倍 撬棍
保护.
■
峰值 脉冲 电流 :
我
pp
= 30 一个 , 10/1000
µ
s.
■
击穿 电压:
TPI80xxN : 80V
TPI120xxN : 120v.
■
可用 入点 所以-8 软件包.
■
低 动态 BREAKOVER 电压 :
TPI80N : 150V
TPI120 : 200V
特点
所以-8
专用 设备 用于 ISDN 接口 和 高
速度 数据 电信 线 保护. 等效 至
一个 三倍 TRISIL 与 低 电容.
这些 设备 提供 :
-
低 电容 从 线条 至 接地, 允许
高 速度 变速器 无 信号
衰减.
-
不错 电容 余额 之间 线条 入点
订单 至 确保 纵向 余额.
-
固定 击穿 电压 入点 两者都有 普通 和
差速器 模式.
-
这 相同 浪涌 电流 能力 入点 两者都有
普通 和 差速器 模式.
-
一个 特别 注意 有 被 给定 至 这
内部 电线 搭接. 这 “4-point”
配置 确保 一个 可靠 保护,
消除 过电压 介绍 由 这
寄生 电感 的 这 接线 (ldi/dt),
尤其是 用于 很 快 瞬态 过电压.
描述
CCITT K17 - K20 10/700
µ
s 1.5 kV
5/310
µ
s38A
VDE 0433 10/700
µ
s2kV
5/310
µ
s50A
VDE 0878 1.2/50
µ
s 1.5 kV
1/20
µ
s40A
CNET 0.5/700
µ
s 1.5 kV
0.2/310
µ
s38A
符合 与 这 以下内容 标准 :
tripolar 保护
用于 isdn 接口
tm: ASD 是 一个 商标 的 意法半导体.

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1/7 应用程序具体 Discretes 一个.s.d.™ TPI8011N TPI12011N ® 8月 2001- ed : 3A 小费地地戒指小费地地戒指 1 2 3 4 5 6 7 8 原理图图表 ■ 双向三倍撬棍保护. ■ 峰值脉冲电流 : 我 pp = 30 一个 , 10/1000 µ s. ■ 击穿电压: TPI80xxN : 80V TPI120xxN : 120v. ■ 可用入点所以-8 软件包. ■ 低动态 BREAKOVER 电压 : TPI80N : 150V TPI120 : 200V 特点所以-8 专用设备用于 ISDN 接口和高速度数据电信线保护. 等效至一个三倍 TRISIL 与低电容. 这些设备提供 : - 低电容从线条至接地, 允许高速度变速器无信号衰减. - 不错电容余额之间线条入点订单至确保纵向余额. - 固定击穿电压入点两者都有普通和差速器模式. - 这相同浪涌电流能力入点两者都有普通和差速器模式. - 一个特别注意有被给定至这内部电线搭接. 这 “4-point” 配置确保一个可靠保护, 消除过电压介绍由这寄生电感的这接线 (ldi/dt), 尤其是用于很快瞬态过电压. 描述 CCITT K17 - K20 10/700 µ s 1.5 kV 5/310 µ s38A VDE 0433 10/700 µ s2kV 5/310 µ s50A VDE 0878 1.2/50 µ s 1.5 kV 1/20 µ s40A CNET 0.5/700 µ s 1.5 kV 0.2/310 µ s38A 符合与这以下内容标准 : tripolar 保护用于 isdn 接口 tm: ASD 是一个商标的意法半导体.

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