ds05-11403-2e
富士通 半导体
数据s他et
记忆
CMOS
2
×
××
×
512 k
×
××
×
16 有点
单独 数据 费率 我/f fcram
tm
消费者
/
嵌入式 应用程序 具体 记忆
mb81e161622-10/-12
cmos 2-银行
×
××
×
524,288-字
×
××
×
16 有点
快 循环 随机 访问权限 记忆 (fcram) 与 单独 数据 费率
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描述
这 富士通 mb81e161622 是 一个 快 循环 随机 访问权限 记忆 (fcram*) 包含 16,777,216 记忆
细胞 无障碍 入点 一个 16-有点 格式. 这 mb81e161622 特点 一个 完全 同步 操作 引用 至 一个
正 边缘 时钟, 由此 全部 运营 是 已同步 在 一个 时钟 输入 哪个 启用 高 业绩
和 简单 用户 接口 coexistence.
这 mb81e161622 是 已利用 使用 一个 富士通 高级 fcram 核心 技术 和 设计 至 改善 这
随机 访问权限 业绩 和 这 复杂性 的 控制 常规 同步 dram (sdram) 哪个 需要
许多 等待 州 到期 至 长 延迟 约束条件.
这 mb81e161622 是 理想情况下 适合 用于 各种 嵌入式/消费者 应用程序 包括 数字 avs, 打印机
和 文件 存储 在哪里 一个 大型 乐队 宽度 记忆 是 需要.
* : fcram 是 一个 商标 的 富士通 有限, 日本.
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产品 阵容
参数
MB81E161622
-10 -12
时钟 频率 @cl
=
2 100 mhz 最大值 84 mhz 最大值
突发 模式 循环 时间
cl
=
1 15 ns 最小 20 ns 最小
cl
=
2 10 ns 最小 12 ns 最小
访问权限 时间 从 时钟
cl
=
1 10 ns 最大值 14 ns 最大值
cl
=
2 6 ns 最大值 7 ns 最大值
ras
循环 时间 30 ns 最小 36 ns 最小
操作 电流 (我
CC1
) 130 ma 最大值 120 ma 最大值
电源 向下 模式 电流 (我
CC2P
) 0.6 ma 最大值
自刷新 电流 (我
CC6
) 0.6 ma 最大值
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