半导体 组件 行业, llc, 2002
8月, 2003 − rev. 3
1
出版物 订单 号码:
bas21slt1/d
BAS21SLT1
首选 设备
双 系列 高 电压
开关 二极管
•
水分 灵敏度 水平: 1
•
esd 评级 − 人类 车身 型号: 类 1
esd 评级− 机器 型号: 类 b
最大值 额定值
评级 符号 值 单位
连续 反向 电压 v
右
250 Vdc
峰值 前进 电流 我
f
225 mAdc
峰值 前进 浪涌 电流 我
调频(浪涌)
625 mAdc
热 特性
特性 符号 最大值 单位
合计 设备 耗散 fr− 5 板
(备注 1)
t
一个
= 25
°
c
降额 以上 25
°
c
p
d
225
1.8
mW
mw/
°
c
热 电阻,
接合点 至 环境
右
ja
556
°
c/w
合计 设备 耗散
氧化铝 基材, (备注 2no 标签)
t
一个
= 25
°
c
降额 以上 25
°
c
p
d
300
2.4
mW
mw/
°
c
热 电阻,
接合点 至 环境
右
ja
417
°
c/w
接合点 和 存储
温度 范围
t
j
, t
stg
−55 至
+150
°
c
1. FR−5 = 1.0
0.75
0.062 入点.
2. 氧化铝 = 0.4
0.3
0.024 入点. 99.5% 氧化铝.
电气 特性
(t
一个
= 25
°
c 除非 否则 已注明)
特性
符号 最小 最大值 单位
关 特性
反向 电压 泄漏 电流
(v
右
= 200 vdc)
(v
右
= 200 vdc, t
j
= 150
°
c)
我
右
−
−
0.1
100
adc
反向 击穿 电压
(我
br
= 100
adc)
v
(br)
250 − Vdc
前进 电压
(我
f
= 100 madc)
(我
f
= 200 madc)
v
f
−
−
1000
1250
mv
二极管 电容
(v
右
= 0, f = 1.0 mhz)
c
d
− 5.0 pf
反向 回收 时间
(我
f
= 我
右
= 30 madc, 右
l
= 100
)
t
rr
− 50 ns
设备 包装 装运
订购 信息
SOT−23
案例 318
风格 11
BAS21SLT1 SOT−23 3000/胶带 &放大器; 卷轴
标记 图表
jt m
JT = 设备 代码
m = 日期 代码
1
2
3
首选
设备 是 推荐 选择 用于 未来 使用
和 最好 总体 值.
3
阴极/阳极
阳极
1
阴极
2
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