jiangsu changjiang 电子产品 技术 一氧化碳., 有限公司
至-92 塑料-encapsulate 晶体管
B772
晶体管 (pnp)
特点
电源 耗散
p
厘米:
625 mw (tamb=25
℃
)
收集器 电流
我
厘米:
-3 一个
收集器-底座 电压
v
(br)cbo
: -40 v
操作 和 存储 接合点 温度 范围
t
j
, t
stg
: -55
℃
至 +150
℃
电气 特性 (tamb=25
℃
除非 否则 指定)
参数 符号 测试一下 条件 最小 典型值 最大值 单位
收集器-底座 击穿 电压
v(br)
CBO
集成电路=-100µa ,我
e?
=0 -40 v
集电极-发射极 击穿 电压
v(br)
CEO
我
c
= -10 ma , 我
B
=0 -30 v
发射器-底座 击穿 电压
v(br)
EBO
我
e?
= -100µa, 我
c
=0 -6 v
收集器 截止 电流
我
CBO
v
cb
= -40 v, 我
e?
=0 -1 µa
收集器 截止 电流
我
CEO
v
ce
=-30 v, 我
B
=0 -10 µa
发射器 截止 电流
我
EBO
v
eb
=-6v, 我
c
=0 -1 µa
h
铁(1)
v
ce
= -2v, 我
c
= -1a 60 400
直流 电流 增益
h
铁(2)
v
ce
=-2v, 我
c
= -100ma 32
集电极-发射极 饱和度 电压
v
ce
(sat) 我
c
=-2a, 我
B
= -0.2a -0.5 v
基极-发射极 饱和度 电压
v
是
(sat) 我
c
=-2a, 我
B
= -0.2a -1.5 v
过渡 频率
f
t
v
ce
= -5v, 我
c
=-0.1a
f =
10MHz
50 MHz
分类 的 h
铁(1)
等级 右 o y gr
范围
60-120 100-200 160-320 200-400
1
2
3
至-92
1.
发射器
2. 收集器
3.
底座
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