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资料编号:1100943
 
资料名称:2SK2900-01
 
文件大小: 96K
   
说明
 
介绍:
N-CHANNEL SILICON POWER MOS-FET
 
 


: 点此下载
 
1
浏览型号2SK2900-01的Datasheet PDF文件第2页
2
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3
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4
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
1
项目 符号 评级 单位
漏源 电压 v
ds
60
连续 排水管 电流
d
±70
脉冲 排水管 电流
d(puls]
±280
栅极-源极 电压 v
gs
±30
最大值 雪崩 能源 e?
av *1
1111.1
最大值 电源 耗散 p
d
100
操作 和 存储 t
ch
+150
温度 范围 t
stg
电气 特性 (t
c
Thermalcharacteristics
2sk2905-01r
fuji 电源 mos-场效应晶体管
n通道 硅 电源 mos-场效应晶体管
特点
高 速度 开关
低 导通电阻
否 次要 breadown
低 驾驶 电源
雪崩-证明
应用程序
开关 调节器
ups (不间断 电源 供应)
直流-直流 转换器
等效 电路 原理图
最大值 额定值 和 特性
绝对 最大值 额定值
(tc=25°c 除非 否则 指定)
闸门(g)
来源(s)
排水管(d)
项目 符号 测试一下 条件
零 闸门 电压 排水管 电流 我
DSS
v
ds
=60V
v
gs
=±30V
d
=40a v
gs
=10V
d
=40a v
ds
=25V
v
抄送
=30v 我
d
=80A
v
gs
=10V
gs
=10
最小值 典型值 最大值 单位
v
v
µA
ma
不适用
m
s
pf
一个
v
ns
µC
ns
最小值 典型值 最大值 单位
热 电阻
th(ch-c)
频道 至 案例
th(ch-一个)
频道 至 环境
1.25
30.0
°c/w
°c/w
符号
BV
DSS
v
gs(th)
GSS
ds(开启)
g
fs
c
国际空间站
c
开放源码软件
c
rss
td
(开启)
t
td
(关)
t
f
av
v
sd
t
rr
q
rr
项目
漏源 击穿 voltaget
闸门 阈值 电压
栅极-源极 泄漏 电流
漏源 开启状态 电阻
前进 transcondutance
输入 电容
输出 电容
反向 转让 电容
打开 时间 t
开启
关闭 时间 t
雪崩 能力
二极管 前进 导通电压
反向 回收 时间
反向 回收 费用
测试一下 条件
d
=1ma v
gs
=0V
d
=10ma v
ds
=V
gs
t
ch
=25°C
v
gs
=0v t
ch
=125°C
v
ds
=0V
v
ds
=25V
v
gs
=0V
f=1MHz
L=100
µ
h t
ch
=25°C
f
=50a v
gs
=0v t
ch
=25°C
f
=50a v
gs
=0V
-di/dt=100a/µs
t
ch
=25°C
v
一个
一个
v
mJ
w
°C
°C
*1 l=0.302mh, vcc=24v
60
2.5 3.0 3.5
10 500
0.2 1.0
10 100
9.5 12
20 40
3100 4650
1300 1950
350 530
20 30
85 120
88 130
65 120
70
1.0 1.5
70
0.13
-55 至 +150
至-3pf
1. 闸门
2. 排水管
3. 来源
20 最小
15.5
5.5
9.3
5.45
5.45
5.5
3.2
21.5
1.6
3.5
1.1
2.1
2.3
0.6
±
0.2
±
0.2
±
0.3
±
0.3
±
0.3
±
0.3
±
0.2
±
0.2
±
0.2
±
0.3
±
0.3
+0.2
+0.3
+0.2
—0.1
±
0.2
ø3.2
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