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2005 微芯片 技术 公司 ds21933a-第页 1
tc4420m/tc4429m
特点
• 闩锁 保护: 将 承受 >1.5a
反向 输出 电流
• 逻辑 输入: 将 承受 负 秋千 向上 至
5V
• esd 保护: 4 kV
• 匹配 上升 和 坠落 次:
- 25 ns (2500 pf 荷载)
• 高 峰值 输出 电流: 6a
• 宽 输入 供应 电压 操作 范围:
- 4.5v 至 18v
• 高 电容式 荷载 驱动器 能力: 10,000 pf
• 短 延迟 时间: 55 ns (典型值.)
• cmos/ttl-兼容 输入
• 低 供应 电流 与 逻辑 ‘
1
’ 输入:
-450µa (典型值.)
• 低 输出 阻抗: 2.5
Ω
• 输出 电压 秋千 至 内 25 mv 的 接地
或 v
dd
• 宽 操作 温度 范围:
- -55°c 至 +125°c
• 请参见 tc4420/tc4429 数据 工作表 (ds21419) 用于
附加 温度 范围 和 包装
产品.
应用程序
• 开关模式 电源 供应品
• 电机 控件
• 脉冲 变压器 驾驶员
• 类 d 开关 放大器
概述 描述
这 tc4420m/tc4429m 是 6a (峰值), 单输出
场效应晶体管 驱动程序. 这 tc4429m 是 一个 反转 驾驶员
(管脚-兼容 与 这 tc429m), 同时 这 tc4420m
是 一个 非反相 驾驶员. 这些 驱动程序 是 预制 入点
cmos 用于 下部 电源 和 更多 高效 操作
与 双极性 驱动程序.
两者都有 设备 有 ttl/cmos-兼容 输入,
哪个 可以 是 驱动 作为 高 作为 v
dd
+ 0.3v 或 作为 低 作为
-5v 无 心烦 或 损伤 至 这 设备. 这个
消除 这 需要 用于 外部 电平转换 电路
和 其 关联的 成本 和 尺寸. 这 输出 秋千 是
轨道-至-轨道, 确保 更好 驱动器 电压 边距,
尤其是 期间 电源-向上/电源-向下 测序.
这 propagational 延迟 时间 是 仅 55 ns (典型值.), 同时
这 输出 上升 和 坠落 次 是 仅 25 ns (典型值.) 进入
2500 pf 跨越 这 可用 电源 供应 范围.
不像 其他 驱动程序, 这 tc4420m/tc4429m 是
几乎 闩锁 证明. 他们 更换 三个 或 更多
离散 组件, 正在保存 pcb 面积 和 零件 同时
改善 总体 系统 可靠性.
包装 类型:
8-管脚 cerdip
1
2
3
4
v
dd
5
6
7
8
输出
地
v
dd
输入
nc
地
输出
TC4420M TC4429M
v
dd
输出
地
输出
备注:
重复 针脚 必须 两者都有 是 已连接 用于
适当的 操作.
TC4420M
TC4429M
6a 高速 场效应晶体管 驱动程序
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