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资料编号:1101316
 
资料名称:2SK3872-01SJ
 
文件大小: 229K
   
说明
 
介绍:
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET
 
 


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1
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2
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3
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4
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
1
Item 标识 比率 单位 Remarks
流-源 电压 V
DS
600
V
DSX
600
持续的 流 电流 I
D
±1
搏动 流 电流 I
d(puls]
±2
门-源 电压 V
GS
±30
repetitive 或者 非-repetitive I
AR
1
非-repetitive
最大 avalanche 活力 E
129
Repetitive
最大 avalanche 活力 3.0
最大 流-源 dv/dt dV
DS
/dt 20
顶峰 二极管 恢复 dv/dt dv/dt 5
最大 电源 消耗 P
D
1.04
30
运行 和 存储 T
ch
+150
stg
电的 特性 (t
c
=25°c 除非 否则 指定)
Thermalcharacteristics
2sk3974-01l,s
fuji 电源 场效应晶体管
n-频道 硅 电源 场效应晶体管
特性
高 速 切换 低 在-阻抗
非 secondary breadown 低 驱动 电源
avalanche-proof
产品
切换 regulators 直流-直流 转换器
ups (uninterruptible 电源 供应)
最大 比率 和 典型的
绝对 最大 比率
(tc=25°c 除非 否则 指定)
Item 标识 测试 情况
零 门 电压 流 电流 i
DSS
V
DS
=600v v
GS
=0V
V
DS
=480v v
GS
=0V
V
GS
=±30V
I
D
=0.5a v
GS
=10V
I
D
=0.5a v
DS
=25V
V
CC
=300v i
D
=0.5a
V
GS
=10V
R
GS
=10
V
V
μ
一个
nA
S
pF
nC
V
ns
μ
C
ns
最小值 典型值 最大值 单位
热的 阻抗
R
th(ch-c)
频道 至 情况
R
th(ch-一个)
频道 至 包围的
4.167
120
°c/w
°c/w
标识
V
(br)dss
V
gs(th)
I
GSS
R
ds(在)
g
fs
C
iss
C
oss
C
rss
td
(在)
t
r
td
(止)
t
f
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
SD
t
rr
Q
rr
Item
流-源 损坏 电压
门 门槛 电压
门-源 泄漏 电流
流-源 在-状态 阻抗
向前 transcondutance
输入 电容
输出 电容
反转 转移 电容
转变-在 时间 t
转变-止 时间 t
总的 门 承担
门-源 承担
门-流 承担
二极管 向前 在-电压
反转 恢复 时间
反转 恢复 承担
测试 情况
I
D
= 250
μ
一个 v
GS
=0V
I
D
= 250
μ
一个 v
DS
=V
GS
T
ch
=25°C
T
ch
=125°C
V
DS
=0V
V
DS
=25V
V
GS
=0V
f=1MHz
V
CC
=300V
I
D
=1A
V
GS
=10V
I
F
=1a v
GS
=0v t
ch
=25°C
I
F
=1a v
GS
=0V
-di/dt=100a/
μ
s
T
ch
=25°C
V
V
一个
一个
V
一个
mJ
mJ
kv/
μ
s
kv/
μ
s
W
W
°C
°C
600
3.5 4.5
25
250
100
9.8 12.0
0.4 0.8
90 135
13 20
0.7 1.2
9.0 15.0
6.0 10.0
22 33
27 41
6.5 10.0
2.2 3.3
1.6 2.4
0.96 1.50
200
0.55
外形 绘画 [mm]
相等的 电路 图式
门(g)
源(s)
流(d)
超级的 fap-g 序列
200509
=
<
vgs=-30v
便条 *1
便条 *2
便条 *3
vds 600v
便条 *4
Ta=25
°C
Tc=25
°C
看 至 p4
最小值 典型值 最大值 单位
http://www.fujielectric.co.jp/fdt/scd/
=
<
=
<
便条 *1 tch 150°c
便条 *2 开始 tch=25°c, i
=0.4a, l=1480mh, v
CC
=60v, r
G
=50
E
限制 用 最大 频道 temperrature 和 avalanche 电流.
看 至 ‘avalanche 活力’ 图表.
便条 *3 repetitve 比率 : 脉冲波 宽度 限制 用 最大 频道 温度.
看 至 ‘transient 热的 阻抗’ 图表.
便条 *4 i
F
-i
D
, -di/dt=50a/
μ
s, vcc bv
DSS
, tch 150°c
=
<
=
<
=
<
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