RLZ8.2B_集成电路资料查询网

RSF010P03
晶体管
1/2
4v 驱动器
Pch
mos 场效应晶体管
RSF010P03
z
结构
z
外部 尺寸
(单位 : mm)
硅 p沟道 mos 场效应晶体管
z
特点
1) 低 开启-电阻.
2) 高 速度 开关.
z
应用程序
开关
z
包装 规格
z
内部 电路
包装
代码
录音
基本 订购 单位 (件)
RSF010P03
tl
3000
类型
z
绝对 最大值 额定值
(助教=25
°
c)
∗
1
∗
2
∗
1
参数
vv
DSS
符号
vv
GSS
人工智能
d
人工智能
dp
人工智能
s
人工智能
sp
WP
d
°
CTch
°
CTstg
限制 单位
漏源 电压
栅极-源极 电压
排水管 电流
合计 电源 耗散
频道 温度
范围 的 存储 温度
连续
脉冲
连续
脉冲
∗
1 pw
≤
10
µ
s, 职责 循环
≤
1%
∗
2 已安装 开启 一个 陶瓷 板
来源 电流
(车身 二极管)
−
30
150
−
55 至
+
150
±
20
±
1
±
4
−
0.3
−
4
0.8
z
热 电阻
参数
°
c/wrth(ch-一个)
符号 限制 单位
频道 至 环境
156
∗
已安装 开启 一个 陶瓷 板
∗
(1) 闸门
(2) 来源
(3) 排水管
∗
2
∗
1 esd 保护 二极管
∗
2 车身 二极管
∗
1
(2)
(1)
(3)
(1) 闸门
(2) 来源
(3) 排水管
TUMT3
0.3
0.77
0.17
0.15max.
2.0
1.3
0.65 0.65
(3)
(1)
(2)
1.7 0.20.2
2.1
0~0.1
0.85max.
缩写 符号 : wx

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RSF010P03 晶体管 1/2 4v 驱动器 Pch mos 场效应晶体管 RSF010P03 z 结构 z 外部尺寸 (单位 : mm) 硅 p沟道 mos 场效应晶体管 z 特点 1) 低开启-电阻. 2) 高速度开关. z 应用程序开关 z 包装规格 z 内部电路包装代码录音基本订购单位 (件) RSF010P03 tl 3000 类型 z 绝对最大值额定值 (助教=25 ° c) ∗ 1 ∗ 2 ∗ 1 参数 vv DSS 符号 vv GSS 人工智能 d 人工智能 dp 人工智能 s 人工智能 sp WP d ° CTch ° CTstg 限制单位漏源电压栅极-源极电压排水管电流合计电源耗散频道温度范围的存储温度连续脉冲连续脉冲 ∗ 1 pw ≤ 10 µ s, 职责循环 ≤ 1% ∗ 2 已安装开启一个陶瓷板来源电流 (车身二极管) − 30 150 − 55 至 + 150 ± 20 ± 1 ± 4 − 0.3 − 4 0.8 z 热电阻参数 ° c/wrth(ch-一个) 符号限制单位频道至环境 156 ∗ 已安装开启一个陶瓷板 ∗ (1) 闸门 (2) 来源 (3) 排水管 ∗ 2 ∗ 1 esd 保护二极管 ∗ 2 车身二极管 ∗ 1 (2) (1) (3) (1) 闸门 (2) 来源 (3) 排水管 TUMT3 0.3 0.77 0.17 0.15max. 2.0 1.3 0.65 0.65 (3) (1) (2) 1.7 0.20.2 2.1 0~0.1 0.85max. 缩写符号 : wx

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