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2sd2704k / 2sd2705s
晶体管
1/4
用于 静音 (20v, 0.3a)
2sd2704k / 2sd2705s
z
特点
1) 高 直流 电流 增益.
h
铁
= 820 至 2700
2) 高 发射器-底座 电压.
v
EBO
= 25v (最小.)
3) 低 罗恩
罗恩= 0.7
Ω
(典型值.)
z
结构
外延 平面 类型 
npn 硅 晶体管
z
外部 尺寸
(单位 : mm)
2SD2705S
2SD2704K
(1) 发射器
(2) 收集器
(3) 底座
rohm : spt
eiaj : sc-72
0 至 0.1
2.8
±
0.2
1.6
0.3 至 0.6
1.1
0.8
±
0.1
0.15
0.4
2.9
±
0.2
1.9
±
0.2
0.95
0.95
+
0.2
−
0.1
−
0.1
+
0.2
+
0.1
−
0.06
+
0.1
−
0.05
(2)
(1)
(3)
(1) 发射器
(2) 底座
(3) 收集器
rohm : smt3
eiaj : sc-59
缩写 符号: xl
全部 接线端子 有 相同 尺寸
∗
表示 h
铁
3
±
0.2(15min.)
4
±
0.2 2
±
0.2
0.45
0.5
0.45
5
(1)
(2) (3)
−
0.05
+
0.15
+
0.15
−
0.05
2.5
+
0.4
−
0.1
3min.
z
绝对 最大值 额定值
(助教=25
°
c)
参数
v
CBO
v
CEO
v
EBO
我
c
p
c
Tj
Tstg
50 v
v
v
一个
w
°
c
°
c
20
25
0.3
0.2
0.3
150
−
55 至
+
150
符号 限制 单位
2SD2704K
2SD2705S
收集器-底座 电压
集电极-发射极 电压
发射器-底座 电压
收集器 电流
收集器 电源
耗散
接合点 温度
存储 温度

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2sd2704k / 2sd2705s 晶体管 1/4 用于静音 (20v, 0.3a) 2sd2704k / 2sd2705s z 特点 1) 高直流电流增益. h 铁 = 820 至 2700 2) 高发射器-底座电压. v EBO = 25v (最小.) 3) 低罗恩罗恩= 0.7 Ω (典型值.) z 结构外延平面类型 npn 硅晶体管 z 外部尺寸 (单位 : mm) 2SD2705S 2SD2704K (1) 发射器 (2) 收集器 (3) 底座 rohm : spt eiaj : sc-72 0 至 0.1 2.8 ± 0.2 1.6 0.3 至 0.6 1.1 0.8 ± 0.1 0.15 0.4 2.9 ± 0.2 1.9 ± 0.2 0.95 0.95 + 0.2 − 0.1 − 0.1 + 0.2 + 0.1 − 0.06 + 0.1 − 0.05 (2) (1) (3) (1) 发射器 (2) 底座 (3) 收集器 rohm : smt3 eiaj : sc-59 缩写符号: xl 全部接线端子有相同尺寸 ∗ 表示 h 铁 3 ± 0.2(15min.) 4 ± 0.2 2 ± 0.2 0.45 0.5 0.45 5 (1) (2) (3) − 0.05 + 0.15 + 0.15 − 0.05 2.5 + 0.4 − 0.1 3min. z 绝对最大值额定值 (助教=25 ° c) 参数 v CBO v CEO v EBO 我 c p c Tj Tstg 50 v v v 一个 w ° c ° c 20 25 0.3 0.2 0.3 150 − 55 至 + 150 符号限制单位 2SD2704K 2SD2705S 收集器-底座电压集电极-发射极电压发射器-底座电压收集器电流收集器电源耗散接合点温度存储温度

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