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2SB1427
晶体管
rev.一个 1/2
电源 晶体管 (
−
20v,
−
2a)
2SB1427
z
特点
1) 低 饱和度 电压, 
v
ce :
最大值
.
−
0.5v 在 我
c
/我
B
=
−
1a /
−
50ma.
2) 优秀 直流 电流 增益 特性.
z
外部 尺寸
(单位 : mm)
(3) 发射器
(2) 收集器
(1) 底座
eiaj : sc-62
1.5
0.4
1.5
0.4
1.6
0.5
3.0
0.4
1.5
(
3
)
4.5
(
1
)
(
2
)
0.5
4.0
2.5
1.0
rohm : mpt3
z
绝对 最大值 额定值
(助教=25
°
c)
参数 符号
v
CBO
v
CEO
v
EBO
我
c
p
c
限制
−
20
−
20
−
6
−
2
0.5
2
单位
v
v
v
一个(直流)
−
3
一个(脉冲)
w
°
c
收集器-底座 电压
集电极-发射极 电压
发射器-底座 电压
收集器 电流
收集器 电源 耗散
接合点 温度
Tj
Tstg
150
−
55 ~
+
150
°
c
存储 温度
∗
1
单独 脉冲, pw
=
10ms
∗
2
当 已安装 开启 一个 40
×
40
×
0.7mm 陶瓷 板.
∗
1
∗
2
z
包装 规格 和 h
铁
类型 2SB1427
MPT3
e?
T100
BJ
1000
包装
h
铁
代码
基本 订购 单位 (件)
标记
表示 h
铁
∗
∗
z
电气 特性
(助教=25
°
c)
参数 符号 最小值 典型值 最大值 单位 条件
BV
CBO
BV
CEO
BV
EBO
我
CBO
我
EBO
v
ce(sat)
h
铁
f
t
Cob
−
20
−
20
−
6
−
−
390
−
−
−
−
−
−
−
−
90
30
−
−
−
−
0.5
−
0.5
820
−
−
v
v
v
µ
一个
µ
一个
−
MHz
pf
我
c
= −
50
µ
一个
我
c
= −
1mA
我
e?
= −
50
µ
一个
v
cb
= −
16V
v
eb
= −
5V
−−−
0.5 v 我
c
/我
B
= −
1a/
−
50mA
v
ce
/我
c
= −
6v/
−
0.5a
v
ce
= −
10v , 我
e?
=
10ma ,  f
=
100MHz
v
cb
= −
10v , 我
e?
=
0a , f
=
1MHz
收集器-底座 击穿 电压
集电极-发射极 击穿 电压
发射器-底座 击穿 电压
收集器 截止 电流
发射器 截止 电流
集电极-发射极 饱和度 电压
直流 电流 转让 比率
过渡 频率
输出 电容
已测量 使用 脉冲 电流.
∗
∗

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2SB1427 晶体管 rev.一个 1/2 电源晶体管 ( − 20v, − 2a) 2SB1427 z 特点 1) 低饱和度电压, v ce : 最大值 . − 0.5v 在我 c /我 B = − 1a / − 50ma. 2) 优秀直流电流增益特性. z 外部尺寸 (单位 : mm) (3) 发射器 (2) 收集器 (1) 底座 eiaj : sc-62 1.5 0.4 1.5 0.4 1.6 0.5 3.0 0.4 1.5 ( 3 ) 4.5 ( 1 ) ( 2 ) 0.5 4.0 2.5 1.0 rohm : mpt3 z 绝对最大值额定值 (助教=25 ° c) 参数符号 v CBO v CEO v EBO 我 c p c 限制 − 20 − 20 − 6 − 2 0.5 2 单位 v v v 一个(直流) − 3 一个(脉冲) w ° c 收集器-底座电压集电极-发射极电压发射器-底座电压收集器电流收集器电源耗散接合点温度 Tj Tstg 150 − 55 ~ + 150 ° c 存储温度 ∗ 1 单独脉冲, pw = 10ms ∗ 2 当已安装开启一个 40 × 40 × 0.7mm 陶瓷板. ∗ 1 ∗ 2 z 包装规格和 h 铁类型 2SB1427 MPT3 e? T100 BJ 1000 包装 h 铁代码基本订购单位 (件) 标记表示 h 铁 ∗ ∗ z 电气特性 (助教=25 ° c) 参数符号最小值典型值最大值单位条件 BV CBO BV CEO BV EBO 我 CBO 我 EBO v ce(sat) h 铁 f t Cob − 20 − 20 − 6 − − 390 − − − − − − − − 90 30 − − − − 0.5 − 0.5 820 − − v v v µ 一个 µ 一个 − MHz pf 我 c = − 50 µ 一个我 c = − 1mA 我 e? = − 50 µ 一个 v cb = − 16V v eb = − 5V −−− 0.5 v 我 c /我 B = − 1a/ − 50mA v ce /我 c = − 6v/ − 0.5a v ce = − 10v , 我 e? = 10ma , f = 100MHz v cb = − 10v , 我 e? = 0a , f = 1MHz 收集器-底座击穿电压集电极-发射极击穿电压发射器-底座击穿电压收集器截止电流发射器截止电流集电极-发射极饱和度电压直流电流转让比率过渡频率输出电容已测量使用脉冲电流. ∗ ∗

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