初步
256k x 16 静态 ram
cy7c1041av33/
GVT73256A16
柏树 半导体 公司
• 3901 北 第一 街道 • San Jose • ca 95134 • 408-943-2600
六月 15, 2000
33
特点
• 快 访问权限 次: 10, 12 ns
• 快 oe
访问权限 次: 5, 6, 和 7 ns
• 单独 +3.3v ±0.3v 电源 供应
• 完全 static—no 时钟 或 计时 频闪 必要的
• 全部 输入 和 产出 是 ttl-兼容
• 三个 州 产出
• 中心 电源 和 接地 针脚 用于 更大 噪声
免疫
• 容易 记忆 扩展 与 ce
和 oe选项
• 自动 ce
掉电
• 高-业绩, 低 电源 消费, cmos
双-保利, 双金属 流程
• 已打包 入点 44-管脚, 400-密耳 soj 和 44-管脚, 400-密耳
TSOP
功能 描述
这 cy7c1049av33\gvt73512a8 是 有组织的 作为 一个 262,144
x 16 sram 使用 一个 四晶体管 记忆 细胞 与 一个 高-按-
绩效, 硅 闸门, 低功耗 cmos 流程. 柏树
srams 是 预制 使用 双层 多晶硅, 斗-
ble-图层 金属 技术.
这个 设备 优惠 中心 电源 和 接地 针脚 用于 改进
业绩 和 噪声 免疫. 静态 设计 消除 这
需要 用于 外部 时钟 或 计时 频闪. 用于 增加 系统-
透射电镜 灵活性 和 消除 总线 争用 问题, 这个 de-
副 优惠 芯片 启用 (ce
), 分开 字节 启用 控件
(ble
和 bhe) 和 输出 启用 (oe) 与 这个 组织机构.
这 设备 优惠 一个 低功耗 备用 模式 当 芯片 是 不
已选择. 这个 允许 系统 设计师 至 满足 低 备用
电源 要求.
功能 块 图表
CE#
地址 缓冲区
行 解码器
色谱柱 解码器
记忆 阵列
512 行 x 256 x 16
列
我/o 控制
WE#
OE#
DQ8
DQ1
电源
向下
A16
A0
DQ16
DQ9
BHE#
BLE#
VCC
vss
顶部v我ew
soj/tsop 二
我们
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抄送
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v
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一个
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nc
DQ
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DQ
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DQ
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DQ
8
管脚 配置
选择 指南
cy7c1049av33-10/
gvt73512a8-10
cy7c1049av33-12/
gvt73512a8-12
最大值 访问权限 时间 (ns) 10 12
最大值 操作 电流 (ma) 240 210
最大值 cmos 备用 电流 (ma) com’l/指示’l 10 10
Com’l l3.0 3.0
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