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资料编号:1115729
 
资料名称:BC848CLT1
 
文件大小: 93K
   
说明
 
介绍:
SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
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jiangsu changjiang electronics 技术 co., 有限公司
sot-23 塑料-encapsulate 晶体管
C1815LT1
晶体管 (npn)
特性
电源 消耗
P
cm:
0.2 w(tamb=25
)
集电级 电流
I
cm:
0.15 一个
集电级-根基 电压
V
(br)cbo
: 60 v
运行 和 存储 接合面 temperature 范围
T
J
stg
: -55
至 +150
电的 特性 (tamb=25
除非 否则 指定)
参数 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
集电级-根基 损坏 电压
V
(br)cbo
ic= 100
µ
一个, i
E
=0
60 V
集电级-发射级 损坏 电压
V
(br)ceo
ic= 0.1ma, i
B
=0 50 V
集电级 截-止 电流
I
CBO
V
CB
=60v, i
E
=0 0.1
µ
一个
集电级 截-止 电流
I
CEO
V
CE
=50v, i
B
=0 0.1
µ
一个
发射级 截-止 电流
I
EBO
V
EB
= 5v, i
C
=0 0.1
µ
一个
直流 电流 增益
h
fe(1)
V
CE
= 6v, i
C
= 2ma 130 400
集电级-发射级 饱和 电压
V
CE
(sat) i
C
=100 毫安, i
B
= 10ma 0.25 v
根基-发射级 饱和 电压
V
(sat) i
C
=100 毫安, i
B
= 10ma 1 V
转变 频率
f
T
V
CE
=10v, i
C
= 1ma
f=
30MHz
80 MHz
分类 的 h
fe(1)
分级 l H
范围
130-200 200-400
设备 标记 C1815LT1=HF
单位: mm
sot-23
1. 根基
2. 发射级
3. 集电级
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