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资料编号:1115758
 
资料名称:A1015LT1
 
文件大小: 35K
   
说明
 
介绍:
SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors
 
 


: 点此下载
 
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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
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jiangsu changjiang 电子产品 技术 一氧化碳., 有限公司
sot-23 塑料-encapsulate 晶体管
A1015LT1
晶体管 (pnp)
特点
电源 耗散
p
厘米:
0.2 w (tamb=25
)
收集器 电流
厘米:
-0.15 一个
收集器-底座 电压
v
(br)cbo:
-50 v
操作 和 存储 接合点 温度 范围
t
j
stg
: -55
至 +150
电气 特性 (tamb=25
除非 否则 指定)
参数 符号 测试一下 条件 最小 典型值 最大值 单位
收集器-底座 击穿 电压
v
(br)cbo
集成电路= -100
µ
一个, 我
e?
=0
-50 v
集电极-发射极 击穿 电压
v
(br)ceo
集成电路= -0.1ma, 我
B
=0 -50 v
发射器-底座 击穿 电压
v(br)
EBO
e?
= -10µa, 我
c
=0 -5 v
收集器 截止 电流
CBO
v
cb
=-50v , 我
e?
=0 -0.1
µ
一个
收集器 截止 电流
CEO
v
ce
= -50v , 我
B
=0 -0.1
µ
一个
发射器 截止 电流
EBO
v
eb
=- 5v , 我
c
=0 -0.1
µ
一个
直流 电流 增益
h
铁(1)
v
ce
=-6v, 我
c
= -2ma 130 400
集电极-发射极 饱和度 电压
v
ce
(sat) 我
c
=-100 ma, 我
B
= -10ma -0.3 v
基极-发射极 饱和度 电压
v
(sat) 我
c
=-100 ma, 我
B
= -10ma -1.1 v
过渡 频率
f
t
v
ce
=-10v, 我
c
= -1m一个
f=
30MHz
80 MHz
分类 的 h
铁(1)
等级
l h
范围
130-200 200-400
标记
BA
单位: mm
sot-23
1. 底座
2. 发射器
3. 收集器
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