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中 电源 表面 安装 产品
tmos 单独 p−channel
字段 效果 晶体管
MiniMOS
设备 是 一个 高级 系列 的 电源 mosfets 哪个
利用 摩托罗拉’s 高 细胞 密度 hdtmos 流程. 这些 微型
表面 安装 mosfets 功能 超 低 右
ds(开启)
和 真 逻辑 水平
业绩. 他们 是 有能力 的 承受 高 能源 入点 这 雪崩
和 换向 模式 和 这 drain−to−source 二极管 有 一个 很 低
反向 回收 时间. minimos 设备 是 设计 用于 使用 入点 低
电压, 高 速度 开关 应用程序 在哪里 电源 效率 是
重要. 典型 应用程序 是 dc−dc 转换器, 和 电源
管理 入点 便携式 和 蓄电池 通电 产品 这样的 作为 计算机,
打印机, 细胞 和 无绳 电话. 他们 可以 也 是 已使用 用于 低 电压
电机 控件 入点 质量 存储 产品 这样的 作为 磁盘 驱动器 和 胶带 驱动器.
这 雪崩 能源 是 指定 至 消除 这 guesswork 入点 设计
在哪里 归纳 荷载 是 已切换 和 报价 附加 安全 边距
反对 意外 电压 瞬变.
•
超 低 右
ds(开启)
提供 较高 效率 和 扩展 蓄电池 生活
•
逻辑 水平 闸门 驱动器 — 可以 是 驱动 由 逻辑 ics
•
微型 so−8 表面 安装 包装 — 保存 板 空间
•
二极管 是 表征 用于 使用 入点 桥梁 电路
•
二极管 展品 高 速度, 与 软 回收
•
我
DSS
指定 在 高架 温度
•
安装 信息 用于 so−8 包装 提供
•
雪崩 能源 指定
最大值 额定值
(t
j
= 25
°
c 除非 否则 已注明)
负 标志 用于 p−channel 设备 省略 用于 清晰度
评级 符号 最大值 单位
drain−to−source 电压 v
DSS
20 v
drain−to−gate 电压 (右
gs
= 1.0 m
Ω
) v
DGR
20 v
gate−to−source 电压 — 连续 v
gs
±
12 v
1 英寸 sq.
fr−4 或 g−10 pcb
10 秒
热 电阻 — 接合点 至 环境
合计 电源 耗散 @ t
一个
= 25
°
c
线性 降额 因素
排水管 电流 @ t
一个
= 25
°
c
连续 @ t
一个
= 70
°
c
脉冲 排水管 电流
(1)
右
thja
p
d
我
d
我
d
我
dm
50
2.5
20
10
8.0
50
°
c/w
瓦特
mw/
°
c
一个
一个
一个
最小值
fr−4 或 g−10 pcb
10 秒
热 电阻 — 接合点 至 环境
合计 电源 耗散 @ t
一个
= 25
°
c
线性 降额 因素
排水管 电流 @ t
一个
= 25
°
c
连续 @ t
一个
= 70
°
c
脉冲 排水管 电流
(1)
右
thja
p
d
我
d
我
d
我
dm
80
1.6
12.5
8.8
6.4
44
°
c/w
瓦特
mw/
°
c
一个
一个
一个
操作 和 存储 温度 范围 t
j
, t
stg
− 55 至 150
°
c
单独 脉冲 drain−to−source 雪崩 能源 — 起动 t
j
= 25
°
c
(v
dd
= 20 vdc, v
gs
= 4.5 vdc, 峰值 我
l
= 5.0 apk, l = 40 mh, 右
g
= 25
)
e?
作为
500
mJ
(1) 重复性 评级; 脉冲 宽度 有限 由 最大值 接合点 温度.
设备 标记 订购 信息
S4205
设备 卷轴 尺寸 胶带 宽度 数量
S4205
MMSF4205R2 13
″
12 mm 压花 胶带 2500 单位
hdtmos 和 minimos 是 商标 的 摩托罗拉, 公司 tmos 是 一个 已注册 商标 的 摩托罗拉, 公司
首选
设备 是 摩托罗拉 推荐 选择 用于 未来 使用 和 最好 总体 值.
这个 文件 包含 信息 开启 一个 新建 产品. 规格 和 信息 此处 是 主题 至 变更 无 通知.
订单 这个 文件
由 mmsf4205/d
摩托罗拉
半导体 技术类 数据
摩托罗拉, 公司 1999
案例 751−06, 风格 12
SO−8
MMSF4205
单独 tmos
电源 场效应晶体管
10 安培
20 伏特
右
ds(开启)
= 14 m
摩托罗拉 首选 设备
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