半导体 组件 行业, llc, 2005
12月, 2005 −rev. 0
1
出版物 订单 号码:
ntljf4156n/d
NTLJF4156N
电源 场效应晶体管 和
肖特基 二极管
30 v, 4.0 一个, n−channel, 与 1.0 一个
肖特基 护栏 二极管, sc−88fl
2x2 mm,
酷
包装
特点
•
无铅 smd 包装 特色 一个 场效应晶体管 和 肖特基 二极管
•
更好 热 电阻 比 tsop−6 包装
•
右
ds(开启)
额定 在 低 v
gs(开启)
级别, v
gs
= 1.5 v
•
低 v
f
肖特基
•
这个 是 一个 pb−free 设备
应用程序
•
dc−dc 转换器
•
li−ion 蓄电池 应用程序 入点 细胞 电话, pda’s, 媒体 玩家
•
颜色 显示 和 摄像头 闪光灯 调节器
最大值 额定值
(t
j
= 25
°
c 除非 否则 已注明)
参数 符号 值 单位
drain−to−source v旧 v
DSS
30 v
gate−to−source v旧 v
gs
±
8.0 v
连续 排水管
电流 (备注 1)
稳定
州
t
j
= 25
°
c
我
d
3.0
一个
t
j
= 85
°
c 2.4
t
≤
5 s t
j
= 25
°
c 4.0
电源 耗散
(备注 1)
稳定
州
t
j
= 25
°
c
p
d
1.21
w
t
≤
5 s 2.08
连续 排水管
电流 (备注 2)
稳定
州
t
j
= 25
°
c
我
d
2.0
一个
t
j
= 85
°
c 1.4
电源 耗散
(备注 2)
t
j
= 25
°
c
p
d
0.44
脉冲 排水管 电流
t
p
= 10
s
我
dm
17 一个
操作 接合点 和 存储 温度 t
j
, t
stg
−55 至
150
°
c
来源 电流 (车身 二极管) (备注 2) 我
s
2.4 一个
铅 温度 用于 焊接 目的
(1/8
″
从 案例 用于 10 s)
t
l
260
°
c
最大值 额定值 是 那些 数值 超越 哪个 设备 损伤 可以 发生.
最大值 额定值 已应用 至 这 设备 是 个人 应力 限制 数值 (不
正常操作 条件) 和 是 不 有效 同时. 如果 这些 限制 是
超过, 设备 功能 操作 是 不 默示, 损伤 将 发生 和
可靠性 将 是 受影响.
1. 表面已安装 开启 fr4 板 使用 1 入点 sq 衬垫 尺寸 (铜 面积 = 1.127 入点 sq
[1 oz] 包括 痕迹).
2. 表面已安装 开启 fr4 板 使用 这 最小值 推荐 衬垫 尺寸.
1
2
3
6
5
4
一个
n/c
d
k
g
s
http://onsemi.com
30 v
30 v
90 m
@ 2.5 v
70 m
@ 4.5 v
1.0 一个
右
ds(开启)
最大值
4.0 一个
0.48 v
我
d
最大值
(备注 1)
v
(br)dss
场效应晶体管
肖特基 二极管
v
右
最大值 我
f
最大值v
f
典型值
125 m
@ 1.8 v
250 m
@ 1.5 v
g
s
n−channel 场效应晶体管
d
k
一个
肖特基 二极管
JL = 具体 设备 代码
m = 日期 代码
= pb−free 包装
(备注: microdot 将 是 入点 要么 位置)
JLM
1
2
3
6
5
4
DFN6
案例 506an
标记
图表
(顶部 查看)
1
请参见 详细 订购 和 装运 信息 入点 这 包装
尺寸 截面 开启第页 8 的 这个 数据 工作表.
订购 信息
管脚 连接
k
d
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