半导体 组件 行业, llc, 2003
12月, 2003 − rev. 2
1
出版物 订单 号码:
ntgs3443t1/d
NTGS3443T1
电源 场效应晶体管
2 安培数, 20 伏特
p−channel tsop−6
特点
•
超 低 右
ds(开启)
•
较高 效率 扩展 蓄电池 生活
•
微型 tsop6 表面 安装 包装
•
pb−free 包装 将 是 可用. 这 g−suffix 表示 一个
pb−free 铅 饰面
应用程序
•
电源 管理 入点 便携式 和 battery−powered 产品, 我.e?.:
细胞 和 无绳 电话, 和 pcmcia 卡片
最大值 额定值
(t
j
= 25
°
c 除非 否则 已注明)
评级
符号 值 单位
drain−to−source 电压 v
DSS
−20 伏特
gate−to−source 电压 − 连续 v
gs
12 伏特
热 电阻
junction−to−ambient (备注 1)
合计 电源 耗散 @ t
一个
= 25
°
c
排水管 电流 − 连续 @ t
一个
= 25
°
c
− 脉冲 排水管 电流 (t
p
10
s)
右
ja
p
d
我
d
我
dm
244
0.5
−2.2
−10
°
c/w
瓦特
安培数
安培数
热 电阻
junction−to−ambient (备注 2)
合计 电源 耗散 @ t
一个
= 25
°
c
排水管 电流 − 连续 @ t
一个
= 25
°
c
− 脉冲 排水管 电流 (t
p
10
s)
右
ja
p
d
我
d
我
dm
128
1.0
−3.1
−14
°
c/w
瓦特
安培数
安培数
热 电阻
junction−to−ambient (备注 3)
合计 电源 耗散 @ t
一个
= 25
°
c
排水管 电流 − 连续 @ t
一个
= 25
°
c
− 脉冲 排水管 电流 (t
p
10
s)
右
ja
p
d
我
d
我
dm
62.5
2.0
−4.4
−20
°
c/w
瓦特
安培数
安培数
操作 和 存储 温度 范围 t
j
, t
stg
−55 至
150
°
c
最大值 铅 温度 用于 焊接
目的 用于 10 秒
t
l
260
°
c
1. 最小值 fr−4 或 g−10pcb, 操作 至 稳定 州.
2. 已安装 上 一个 2 入点 方块字 fr−4 板 (1
″
sq. 2 盎司. 铜. 0.06
″
厚 单独
侧面), 操作 至 稳定 州.
3. 已安装 上 一个 2 入点 方块字 fr−4 板 (1
″
sq. 2 盎司. 铜. 0.06
″
厚 单独
侧面), t
5.0 秒.
2 安培
20 伏特
右
ds(开启)
= 65 m
3
4
1256
设备 包装 装运
†
订购 信息
NTGS3443T1 TSOP−6 3000 胶带 &放大器; 卷轴
P−Channel
TSOP−6
案例 318g
风格 1
标记
图表
443 = 设备 代码
w = 工作 周
管脚 分配
321
4
GateDrain
来源
56
排水管
DrainDrain
http://onsemi.com
NTGS3443T1G TSOP−6 3000 胶带 &放大器; 卷轴
443
w
†for 信息 开启 胶带 和 卷轴 规格,
包括 零件 方向 和 胶带 尺码, 请
参考 至我们的 t猿 和 卷轴 包装 规格
brochure, brd8011/d.
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