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资料编号:1118846
 
资料名称:NTD78N03R
 
文件大小: 68K
   
说明
 
介绍:
Power MOSFET 25 V, 85 A,Single N-Channel, DPAK
 
 


: 点此下载
 
1
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5
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6
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
半导体 组件 行业, llc, 2005
8月, 2005 −rev. 2
1
出版物 订单 号码:
ntd95n02r/d
NTD95N02R
电源 场效应晶体管
95 安培数, 24 伏特
n−channel dpak
特点
高 电源 和 电流 搬运 能力
快 开关 业绩
低 右
ds(开启)
至 最小化 传导 损失
低 闸门 费用 至 最小化 开关 损失
pb−free 软件包 是可用
应用程序
cpu 主板 vcore 应用程序
高 频率 dc−dc 转换器
电机 驱动器
桥梁 电路
最大值 额定值
(t
j
= 25
°
c 除非 否则 指定)
参数
符号 单位
drain−to−source v v
DSS
24 v
gate−to−source v v
gs
±
20 v
热 电阻, junction−to−case
合计 电源 耗散 @ t
一个
= 25
°
c
排水管 电流 –
一个
= 25
°
c, 有限 由 包装
一个
= 25
°
c, 有限 由 电线
jc
p
d
d
d
1.45
86
95
32
°
c/w
w
一个
一个
热 电阻, junction−to− 环境
(备注 1)
− 合计 电源 耗散 @ t
一个
= 25
°
c
− 排水管 电流 − 连续 @ t
一个
= 25
°
c
ja
p
d
d
52
2.4
15.8
°
c/w
w
一个
热 电阻, junction−to−ambient
(备注 2)
− 合计 电源 耗散 @ t
一个
= 25
°
c
− 排水管 电流 − 连续 @ t
一个
= 25
°
c
ja
p
d
d
100
1.25
12
°
c/w
w
一个
操作 接合点 和 存储 温度 t
j
,
t
stg
−55 至
150
°
c
连续 来源 电流 (车身 二极管)
s
45 一个
单独 脉冲 drain−to−source雪崩
能源 – (v
dd
= 25 v, v
g
= 10, 我
pk
= 13 一个,
l = 1 mh, 右
g
= 25
)
e?
作为
84 mJ
铅 温度 用于 焊接 目的
(1/8 入点 从 案例 用于 10 秒)
t
l
260
°
c
最大值 额定值 是 那些 数值 超越 哪个 设备 损伤 可以 发生.
最大值 额定值 已应用 至 这 设备 是 个人 应力 限制 数值 (不
正常操作 条件) 和 是 不 有效 同时. 如果 这些 限制 是
超过, 设备 功能 操作 是 不 默示, 损伤 将 发生 和
可靠性 将 是 受影响.
1. 表面已安装 开启 fr4 板 使用 1 入点 sq 衬垫 尺寸 (铜 面积 = 1.127 入点 sq
[1 oz] 包括 痕迹).
2. 表面 已安装 开启 fr4 板 使用 这 最小值 推荐 衬垫 尺寸
(铜 面积 = 0.412 入点 sq).
http://onsemi.com
d
s
g
v
(br)dss
ds(开启)
典型值
d
MAX*
24 v
4.5 m
@ 10 v
95 一个
5.9 m
@ 4.5 v
*I
d
最大值 入点 这 产品 摘要 表 是 连续s
和 稳定 在 25
°
c.
标记 图表
&放大器; 管脚 作业
y = 年份
ww = 工作 周
T95N02R = 设备 代码
g = pb−free 包装
请参见 详细 订购 和 装运 信息 入点 这 包装
尺寸 截面 开启第页 4 的 这个 数据 工作表.
订购 信息
1
闸门
3
来源
2
排水管
4
排水管
DPAK
案例 369c
(表面 安装)
风格 2
YWW
T95
N02RG
1
2
3
4
1
闸门
3
来源
2
排水管
4
排水管
DPAK
案例 369d
(直线 铅)
风格 2
1
2
3
4
YWW
T95
N02RG
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