sc−70 (sot−323)
情况 419−04
公布 m
日期 27 将 2005
规模 4:1
样式 3:
管脚 1. 根基
2. 发射级
3. 集电级
样式 4:
管脚 1. CATHODE
2. CATHODE
3. ANODE
样式 2:
管脚 1. ANODE
2. n.c.
3. CATHODE
样式 1:
CANCELLED
样式 5:
管脚 1. ANODE
2. ANODE
3. CATHODE
样式 6:
管脚 1. 发射级
2. 根基
3. 集电级
样式 7:
管脚 1. 根基
2. 发射级
3. 集电级
一个
A2
D
e1
b
e
E
A1
c
L
3
12
注释:
1. dimensioning 和 tolerancing 每 ansi
y14.5m, 1982.
2. controlling 维度: inch.
0.05 (0.002)
样式 8:
管脚 1. 门
2. 源
3. 流
样式 9:
管脚 1. ANODE
2. CATHODE
3. CATHODE−ANODE
样式 10:
管脚 1. CATHODE
2. ANODE
3. ANODE−CATHODE
1.9
0.075
0.65
0.025
0.65
0.025
0.9
0.035
0.7
0.028
mm
英寸
规模 10:1
XX
M
XX = 明确的 设备 代号
M
= 日期 代号
= pb−free 包装
GENERIC
标记 图解
*this 信息 是 generic. 请 谈及 至
设备 数据 薄板 为 真实的 部分 标记.
pb−free 指示信号, “g” 或者 microdot “
”,
将 或者 将 不 是 呈现.
1
*For额外的 信息 在 我们的 pb−free strategy 和 焊接
详细信息, 请 下载 这 在 半导体 焊接 和
挂载 技巧 涉及 手工的, solderrm/d.
焊接 footprint*
H
E
DIM
一个
最小值 NOM 最大值 最小值
毫米
0.80 0.90 1.00 0.032
英寸
A1
0.00 0.05 0.10 0.000
A2
0.7 ref
b
0.30 0.35 0.40 0.012
c
0.10 0.18 0.25 0.004
D
1.80 2.10 2.20 0.071
E
1.15 1.24 1.35 0.045
e
1.20 1.30 1.40 0.047
0.035 0.040
0.002 0.004
0.014 0.016
0.007 0.010
0.083 0.087
0.049 0.053
0.051 0.055
NOM 最大值
L
2.00 2.10 2.40 0.079 0.083 0.095
H
E
e1
0.65 bsc
0.425 ref
0.028 ref
0.026 bsc
0.017 ref
机械的 情况 外形
包装 维度
http://onsemi.com
1
半导体 组件 industries, llc, 2002
october, 2002 − rev. 0
情况 外形 号码:
XXX
文档 号码:
状态:
新 标准:
描述:
98ASB42819B
在 半导体 标准
SC−70
电子的 版本 是 uncontrolled 除了 当
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版本 是 uncontrolled 除了 当 stamped
“controlled copy” 在 red.
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