2003. 9. 19 1/3
半导体
技术的 数据
KTJ6164S
修订 非 : 1
过激-高 速 切换 产品
相似物 转变 产品
特性
2.5 门 驱动.
低 门槛 电压 : v
th
=-0.5 -1.5v.
高 速.
小 包装.
增强-模式.
最大 比率 (ta=25 )
DIM
毫米
1. 源
2. 门
3. 流
sot-23
一个
B
C
D
E
2.93 0.20
1.30+0.20/-0.15
0.45+0.15/-0.05
2.40+0.30/-0.20
G
1.90
H
J
K
L
M
N
0.95
0.13+0.10/-0.05
0.00 ~ 0.10
0.55
0.20 最小值
1.00+0.20/-0.10
M
J
K
E
1
2
3
H
G
一个
N
C
B
D
1.30 最大值
LL
PP
P
7
+
_
电的 特性 (ta=25 )
类型 名字
标记
lot 非.
EL
p 频道 mos 地方
效应 晶体管
D
G
S
这个 晶体管 是 静电的 敏感的 设备.
请 handle 和 提醒.
相等的 电路
典型的 标识 比率 单位
流-源 电压
V
DS
-60 V
门-源 电压
V
GSS
20
V
直流 流 电流
直流
I
D
-200
毫安
脉冲波
I
DP
-800
流 电源 消耗
P
D
200 mW
频道 温度
T
ch
150
存储 温度 范围
T
stg
-55 150
典型的 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
门 泄漏 电流
I
GSS
V
GS
= 16v, v
DS
=0V
- -
1 一个
流-源 损坏 电压
V
(br)dss
I
D
=-100 一个, v
GS
=0V
-60 - - V
流 截-止 电流
I
DSS
V
DS
=-60v, v
GS
=0V
- - -1
一个
门 门槛 电压
V
th
V
DS
=-10v, i
D
=-1ma
-0.5 - -1.5 V
向前 转移 admittance
|Y
fs
| V
DS
=-10v, i
D
=-50ma
100 - - mS
流-源 在 阻抗
R
ds(在)
I
D
=-50ma, v
GS
=-2.5v
- 1.5 2
输入 电容
C
iss
V
DS
=-10v, v
GS
=0v, f=1mhz
- 55 65 pF
反转 转移 电容
C
rss
V
DS
=-10v, v
GS
=0v, f=1mhz
- 13 18 pF
输出 电容
C
oss
V
DS
=-10v, v
GS
=0v, f=1mhz
- 40 50 pF
切换 时间
转变-在 时间
t
r
输出
(z =50
Ω
)
r
v :t , t < 5ns
d.u. 1%
v = -30v
10
µ
s
-10v
0
L
V
50
Ω
在
V
R
i =-100ma
D
输出
在
DD
=
<
f
- 8 -
nS
转变-在 时间
t
在
- 14 -
转变-在 时间
t
f
- 35 -
转变-在 时间
t
止
- 75 -
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