2004. 11. 26 1/3
半导体
技术的 数据
KTC5242A
triple diffused npn 晶体管
修订 非 : 0
电源 放大器 产品.
特性
高 集电级 电压 : v
CEO
=230v(最小值.)
complementary 至 kta1962a.
推荐 为 80w 高 fidelity 音频的 频率
放大器 输出 平台.
最大 比率 (ta=25 )
1. 根基
2. 集电级 (热温 下沉)
3. 发射级
至-3p(n)
C
G
L
K
H
一个
D
B
E
F
I
d
P
PT
M
J
Q
123
一个 15.9 最大值
毫米DIM
B 4.8 最大值
C 20.0 0.3
D 2.0 0.3
d 1.0+0.3/-0.25
e2.0
F 1.0
G 3.3 最大值
h9.0
i4.5
J
2.0
K 1.8 最大值
L 20.5 0.5
P 5.45 0.2
Q
Φ
3.2 0.2
T 0.6+0.3/-0.1
2.8m
+
_
+
_
+
_
+
_
+
_
电的 特性 (ta=25 )
便条 : h
FE
(1) 分类 r:55 110 , o:80 160
典型的 标识 比率 单位
集电级-根基 电压
V
CBO
230 V
集电级-发射级 电压
V
CEO
230 V
发射级-根基 电压
V
EBO
5 V
集电级 电流
I
C
15 一个
根基 电流
I
B
1.5 一个
集电级 电源 消耗 (tc=25 )
P
C
130 W
接合面 温度
T
j
150
存储 温度 范围
T
stg
-55 150
典型的 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
集电级 截-止 电流
I
CBO
V
CB
=230v, i
E
=0
- - 5.0
一个
发射级 截-止 电流
I
EBO
V
EB
=5v, i
C
=0
- - 5.0
一个
集电级-发射级 损坏 电压
V
(br)ceo
I
C
=50ma, i
B
=0
230 - - V
直流 电流 增益
h
FE
(1) (便条) V
CE
=5v, i
C
=1A
55 - 160
h
FE
(2) V
CE
=5v, i
C
=7A
35 60 -
集电级-发射级 饱和 电压
V
ce(sat)
I
C
=8a, i
B
=0.8a
- 0.4 3.0 V
根基-发射级 电压
V
是
V
CE
=5v, i
C
=7A
- 1.0 1.5 V
转变 频率
f
T
V
CE
=5v, i
C
=1A
- 30 - MHz
集电级 输出 电容
C
ob
V
CB
=10v, i
E
=0, f=1mhz
- 200 - pF
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