1999. 6. 7 1/3
半导体
技术类 数据
KTA2014E
外延 平面 pnp 晶体管
修订 否 : 0
概述 目的 应用程序.
开关 应用程序.
特点
优秀 h
铁
线性度
: h
铁
(0.1ma)/h
铁
(2ma)=0.95(典型值.).
低 噪声 : nf=1db(典型值.), 10db(最大值.).
互补 至 ktc4075e.
小 包装.
最大值 评级 (助教=25
)
昏暗
毫米
一个
B
d
e?
ESM
1.60 0.10
0.85 0.10
0.70 0.10
0.27+0.10/-0.05
1.60 0.10
1.00 0.10
0.50
0.13 0.05
c
g
h
j
1
3
2
e?
B
d
一个
g
h
c
j
1. 发射器
2. 底座
3. 收集器
+
_
+
_
+
_
+
_
+
_
+
_
电气 特性 (助教=25
)
特性 符号 评级 单位
收集器-底座 电压
v
CBO
-50 v
集电极-发射极 电压
v
CEO
-50 v
发射器-底座 电压
v
EBO
-5 v
收集器 电流
我
c
-150 ma
底座 电流
我
B
-30 ma
收集器 电源 耗散
p
c
100 mW
接合点 温度
t
j
150
存储 温度 范围
t
stg
-55
150
特性 符号 测试一下 条件 最小值 典型值 最大值 单位
收集器 截止 电流
我
CBO
v
cb
=-50v, 我
e?
=0
- - -0.1
一个
发射器 截止 电流
我
EBO
v
eb
=-5v, 我
c
=0
- - -0.1
一个
直流 电流 增益
h
铁
(备注) v
ce
=-6v, 我
c
=-2ma
70 - 400
集电极-发射极 饱和度 电压
v
ce(sat)
我
c
=-100ma, 我
B
=-10ma
- -0.1 -0.3 v
过渡 频率
f
t
v
ce
=-10v, 我
c
=-1ma
80 - - MHz
收集器 输出 电容
c
ob
v
cb
=-10v, 我
e?
=0, f=1mhz
- 4 7 pf
噪声 图 nf
v
ce
=-6v, 我
c
=-0.1ma
f=1khz, rg=10k
- 1.0 10 db
备注 : h
铁
分类 o(2):70
140, y(4):120
240, gr(6):200
400
h 等级
类型 姓名
标记
s
铁
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