综合 硅 解决方案, 公司 — 1-800-379-4774
1
rev. c
04/13/05
IS41LV8200A
ISSI
®
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特点
• 扩展 数据-出点 (edo) 第页 模式 访问权限 循环
• ttl 兼容 输入 和 产出
• 刷新 时间间隔:
-- 2,048 循环次数/32 ms
• 刷新 模式:
ras
-仅,
cas
-之前-
ras
(cbr), 和 隐藏
• 单独 电源 供应: 3.3v ± 10%
• 字节 写 和 字节 阅读 操作 通过 两个
cas
• 无铅 可用
描述
这
ISSI
is41lv8200a 是 2,097,152 x 8-有点
高-perfor-
mance cmos 动态 随机 访问权限 记忆. 这些
设备 报价 一个 加速 循环 访问权限 被称为 edo
第页 模式. edo 第页 模式 允许 2,048 随机 交流电-
cesses 内 一个 单独 行 与 访问权限 循环 时间 作为 短
作为 20 ns 按 4-有点 字.
这些 特点 制造 这 is41lv8200a 理想情况下 适合 用于
高带宽 图形, 数字 信号 加工, 高-
业绩 计算 系统, 和 外围设备
应用程序.
这 is41lv8200a 是 已打包 入点 28-管脚300-密耳 soj 与
电子元件工业联合会 标准 引出线.
2m x 8 (16-mbit) 动态 ram
与 edo 第页 模式
april 2005
钥匙 计时 参数
参数 -50 -60 单位
ras
访问权限 时间 (t
RAC
)5060ns
cas
访问权限 时间 (t
CAC
)1415ns
色谱柱 地址 访问权限 时间 (t
AA
)
25 30 ns
edo 第页 模式 循环 时间 (t
pc
)
20 25 ns
阅读/写 循环 时间 (t
rc
) 85 104 ns
产品 系列 概述
零件 否. 刷新 电压
IS41LV8200A 2K 3.3v ± 10%
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18
17
16
15
VDD
我/o0
我/o1
我/o2
我/o3
我们
ras
nc
A10
A0
A1
A2
A3
VDD
地
我/o7
我/o6
我/o5
我/o4
cas
oe
A9
A8
A7
A6
A5
A4
地
管脚 说明
a0-a10 地址 输入
我/o0-7 数据 输入/产出
我们
写 启用
oe
输出 启用
ras
行 地址 频闪
cas
色谱柱 地址 频闪
v
dd
电源
地 接地
nc 否 连接
管脚 配置
28 管脚 soj
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