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®
fn3125.10
hi-303
双, spdt cmos 相似物 转变
这 hi-303 转变 是 一个 大而单一的 设备 fabricated 使用
cmos 技术 和 这 intersil dielectric 分开
处理. 这个 转变 特性 破裂-在之前-制造 切换,
低 和 nearly 常量 在 阻抗 在 这 全部 相似物
信号 范围, 和 低 电源 消耗.
这 hi-303 是 ttl 兼容 和 有 一个 逻辑 “0” 情况
和 一个 输入 较少 比 0.8v 和 一个 逻辑 “1” 情况 和 一个
输入 更好 比 4v. (看 pinouts 为 转变 情况 和
一个 逻辑 “1” 输入.)
函数的 图解
引脚
转变 states 显示 为 一个 逻辑 “1” 输入
hi-303 (pdip, cerdip, soic)
顶 视图
特性
• 相似物 信号 范围 (
±
15v 供应). . . . . . . . . .
±
15V
• 低 泄漏 在 25
o
C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .40pA
• 低 泄漏 在 125
o
C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .1nA
• 低 在 阻抗 在 25
o
c . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35
Ω
• 破裂-在之前-制造 延迟 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60ns
• 承担 injection . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30pc
• ttl, cmos 兼容
• 对称的 转变 elements
• 低 运行 电源 (典型值) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .1.0mw
•
铅-自由 有 (rohs 一致的)
产品
• 样本 和 支撑 (i.e., 低 泄漏 切换)
• 运算 放大 增益 切换 (i.e., 低 在 阻抗)
• 可携带的, 电池 运作 电路
• 低 水平的 切换 电路
• 双 或者 单独的 供应 系统
逻辑 sw1, sw2 sw3, sw4
0OFFON
1ONOFF
S
N
在
P
D
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
NC
S
3
D
3
D
1
S
1
在
1
地
V+
S
4
D
4
D
2
S
2
在
2
v-
订货 信息
部分
号码
温度
范围 (
o
c) 包装
pkg. dwg.
#
hi1-0303-2 -55 至 125 14 ld cerdip f14.3
hi1-0303-5 0 至 75 14 ld cerdip f14.3
hi3-0303-5 0 至 75 14 ld pdip e14.3
hi3-0303-5z
(看 便条)
0 至 75 14 ld pdip
(铅-自由)
e14.3
hi9p0303-9 -40 至 85 14 ld soic m14.15
hi9p0303-9z
(看 便条)
-40 至 85 14 ld soic
(铅-自由)
m14.15
便条: intersil 铅-自由 产品 雇用 特定的 铅-自由 材料 sets;
塑造 复合/消逝 连结 材料 和 100% 表面粗糙的 tin 加设护板
末端 完成, 这个 是 rohs 一致的 和 兼容 和
两个都 snpb 和 铅-自由 焊接 行动. intersil 铅-自由 产品
是 msl classified 在 铅-自由 顶峰 软熔焊接 温度 那 满足 或者
超过 这 铅-自由 (所需的)东西 的 ipc/电子元件工业联合会 j 标准-020c.
数据 薄板 十一月 17, 2004
提醒: 这些 设备 是 敏感的 至 静电的 释放; follow 恰当的 ic 处理 程序.
1-888-intersil 或者 321-724-7143
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