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已更换 由 mw5ic2030nbr1(gnbr1). 那里 是 否 窗体, 适合 或 功能 变更 与 这个
零件 更换. n 后缀 已添加 至 零件 号码 至 指示 过渡 至 铅-免费 终端.
mw5ic2030mbr1 mw5ic2030gmbr1
1
rf 设备 数据
飞思卡尔 半导体
rf ldmos 宽带 综合
电源 放大器
这 mw5ic2030 wideband 综合 电路 是 设计 与 开启-芯片
匹配 那 使 它 可用 从 1930 至 1990
mhz. 这个 多-舞台
结构 是 额定 用于 26 至 28
电压 操作 和 盖子 全部 典型 细胞 底座
车站 调制 格式.
决赛 应用程序
•
典型 cdma 业绩: v
dd
= 27 伏特, 我
DQ1
= 160 ma,
我
DQ2
= 230 ma, p
出点
= 5 瓦特 平均值., 已满 频率 乐队, 是-95 cdma
(领航员, 同步, 分页, 交通 代码 8 通过 13), 频道 带宽 =
1.2288 mhz. par = 9.8 db @ 0.01% 概率 开启 ccdf.
电源 增益 — 23 db
排水管 效率 — 20%
acpr @ 885 khz 偏移量 —-49 dbc 入点 30 khz 频道 带宽
驾驶员 应用程序
•
典型 cdma 业绩: v
dd
= 27 伏特, 我
DQ1
= 220 ma, 我
DQ2
=
240 ma, p
出点
= 1 瓦特 平均值., 已满 频率 乐队, 是-95 cdma (领航员,
同步, 分页, 交通 代码 8 通过 13), 频道 带宽 =
1.2288 mhz. par = 9.8 db @ 0.01% 概率 开启 ccdf.
电源 增益 — 24 db
acpr @ 885 khz 偏移量 —-63 dbc 入点 30 khz 频道 带宽
•
有能力 的 搬运 10:1 vswr, @ 27 vdc, 1990 mhz, 30 瓦特 cw
输出 电源
•
稳定 进入 一个 3:1 vswr. 全部 spurs 下面-60 dbc @ 0 至 43 dbm cw
p
出点
.
•
开启-芯片 匹配 (50 欧姆 输入, >4 欧姆 输出)
•
综合 温度 补偿 能力 与 启用/禁用
功能
•
开启-芯片 电流 镜子 g
m
参考 场效应晶体管 用于 自我 偏置 应用程序
(1)
•
综合 esd 保护
•
200
°
c 有能力 塑料 包装
•
入点 胶带 和 卷轴. r1 后缀 = 500 单位 按 44 mm, 13 英寸 卷轴
1. 参考 至 an1987,
静态 电流 控制 用于 这 rf 综合 电路 设备 家庭.
走 至 http://www.飞思卡尔.com/rf.
选择 文档/应用程序 备注-an1987.
备注 -
注意事项
-mos 设备 是 易感 至 损伤 从 静电 费用. 合理 注意事项 入点 搬运 和
包装 mos 设备 应该 是 观察到的.
文件 号码: mw5ic2030m
rev. 6, 1/2006
飞思卡尔 半导体
技术类 数据
1930-1990 mhz, 30 w, 26 v
gsm/gsm 边缘, w-cdma, phs
rf ldmos 宽带
综合 电源 放大器
案例 1329-09
至-272 wb-16
塑料
MW5IC2030MBR1
MW5IC2030MBR1
MW5IC2030GMBR1
案例 1329a-03
至-272 wb-16 海鸥
塑料
MW5IC2030GMBR1
图 1. 功能 块 图表 图 2. 管脚 连接
(顶部 查看)
地
地
RF
入点
v
RG1
/v
GS1
地
v
DS1
v
ds2/
RF
出点
地
v
GS2
地
v
RD2
v
RG2
v
RD1
NCNC
nc
v
RG1
/v
GS1
RF
入点
v
DS1
v
GS2
v
DS2
/rf
出点
静态 电流
温度 补偿
v
RD2
v
RG2
v
RD1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
9
10
11
1
备注: 暴露 背面 旗子 是 来源
终端 用于 晶体管.
飞思卡尔 半导体, 股份有限公司., 2006. 全部 权利 保留.
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