mrf6s9160hr3 mrf6s9160hsr3
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rf 设备 数据
飞思卡尔 半导体
rf 电源 字段 效果 晶体管
n-频道 增强功能-模式 横向 mosfets
设计 用于 n-cdma, gsm 和 gsm边缘 底座 车站 应用程序
与 频率 从 865 至 960 mhz.适合 用于 多载波 放大器
应用程序.
•
典型 单独 -承运人 n-cdma 业绩 @ 880 mhz: v
dd
= 28 伏特,
我
DQ
= 1200 ma, p
出点
= 35 瓦特 平均值., 是-95 cdma (领航员, 同步, 分页,
交通 代码 8 通过 13) 频道 带宽 = 1.2288 mhz. par =
9.8 db @ 0.01% 概率 开启 ccdf.
电源 增益 — 20.9 db
排水管 效率 — 30.5%
acpr @ 750 khz 偏移量 —-46.8 dbc @ 30 khz 带宽
gsm 边缘 应用程序
•
典型 gsm 边缘 业绩: v
dd
= 28 伏特, 我
DQ
= 1200 ma,
p
出点
= 76 瓦特 平均值., 已满 频率 乐队 (865-895 mhz)
电源 增益 — 20 db
排水管 效率 — 45%
光谱 regrowth @ 400 khz 偏移量 =-66 dbc
光谱 regrowth @ 600 khz 偏移量 =-75 dbc
evm — 2% rms
gsm 应用程序
•
典型 gsm 业绩: v
dd
= 28 伏特, 我
DQ
= 1200 ma, p
出点
=
160 瓦特, 已满 频率 乐队 (921-960 mhz)
电源 增益 — 20 db
排水管 效率 — 58%
•
有能力 的 搬运 10:1 vswr, @ 28 vdc, 880 mhz, 160 瓦特 cw
输出 电源
•
表征 与 系列 等效 大型-信号 阻抗 参数
•
内部 输入 匹配 用于 轻松 的 使用
•
合格 向上 至 一个 最大值 的 32 v
dd
操作
•
综合 esd 保护
•
下部 热 电阻 包装
•
低 黄金 电镀 厚度 开启 导联, 40
µ
″
标称值.
•
铅-免费 和 rohs 符合
•
入点 胶带 和 卷轴. r3 后缀 = 250 单位 按 56 mm, 13 英寸 卷轴.
表 1. 最大值 额定值
评级 符号 值 单位
排水管-来源 电压 v
DSS
-0.5, +68 Vdc
闸门-来源 电压 v
gs
-0.5, +12 Vdc
合计 设备 耗散 @ t
c
= 25
°
c
降额 以上 25
°
c
p
d
565
3.2
w
w/
°
c
存储 温度 范围 t
stg
- 65 至 +150
°
c
操作 接合点 温度 t
j
200
°
c
cw 操作 CW 160 w
备注 -
注意事项
-mos 设备 是 易感 至 损伤 从 静电 费用. 合理 注意事项 入点 搬运 和
包装 mos 设备 应该 是 观察到的.
文件 号码: mrf6s9160h
rev. 0, 10/2005
飞思卡尔 半导体
技术类 数据
MRF6S9160HR3
MRF6S9160HSR3
880 mhz, 35 w 平均值., 28 v
单独 n-CDMA
横向 n-频道
rf 电源 mosfets
案例 465a-06, 风格 1
ni-780S
MRF6S9160HSR3
案例 465-06, 风格 1
ni-780
MRF6S9160HR3
飞思卡尔 半导体, 股份有限公司., 2005. 全部 权利 保留.
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