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rf 设备 数据
飞思卡尔 半导体
rf 电源 字段 效果 晶体管
n-频道 增强功能-模式 横向 mosfets
设计 用于 类 一个 或 类 ab概述 目的 应用程序 与
频率从 1600 至 2200 mhz. 适合 用于 模拟 和 数字 调制
和 multipurpose 放大器 应用程序.
•
典型 两个-音调 业绩 @ 2170 mhz: v
dd
= 28 伏特, 我
DQ
=
130 ma, p
出点
= 10 瓦特 pep
电源 增益 — 15.5 db
排水管 效率 — 36%
imd —-34 dbc
•
典型 2-承运人 w -cdma 业绩: v
dd
= 28 伏特, 我
DQ
= 130 ma,
p
出点
= 1 瓦特 平均值., 已满 频率 乐队 (2130-2170 mhz), 频道
带宽 = 3.84 mhz. par = 8.5 db @ 0.01% 概率
电源 增益 — 15.5 db
排水管 效率 — 15%
im3 @ 10 mhz 偏移量 —-47 dbc 入点 3.84 mhz 频道 带宽
acpr @ 5 mhz 偏移量 —-49 dbc 入点 3.84 mhz 频道 带宽
•
典型 单独 -承运人 n-cdma 业绩: v
dd
= 28 伏特, 我
DQ
=
130 ma, p
出点
= 1 瓦特 平均值., 已满 频率 乐队 (1930 -1990 mhz),
是-95 (领航员, 同步, 分页, 交通 代码 8 通过 13), 频道 band-
宽度 = 1.2288 mhz. par = 9.8 db @ 0.01% 概率 开启 ccdf.
电源 增益 — 15.5 db
排水管 efficiency— 16%
acpr @ 885 khz 偏移量 =-60 dbc 入点 30 khz 带宽
•
典型 gsm 边缘 业绩: v
dd
= 28 伏特, 我
DQ
= 130 ma, p
出点
=
4 瓦特 平均值., 已满 频率 乐队 (1805 -1880 mhz)
电源 增益 — 16 db
排水管 效率 — 33%
evm — 1.3% rms
•
有能力 的 搬运 5:1 vswr, @ 28 vdc, 2000 mhz, 10 瓦特 cw
输出 电源
•
表征 与 系列 等效 大型-信号 阻抗 参数
•
内部 匹配 用于 轻松 的 使用
•
合格 向上 至 一个 最大值 的 32 v
dd
操作
•
综合 esd 保护
•
200
°
c 有能力 塑料 包装
•
n 后缀 表示 铅-免费 终端. rohs 符合.
•
入点 胶带 和 卷轴. r1 后缀 = 500 单位 按 24 mm, 13 英寸 卷轴.
表 1. 最大值 额定值
评级 符号 值 单位
排水管-来源 电压 v
DSS
-0.5, +68 Vdc
闸门-来源 电压 v
gs
-0.5, +12 Vdc
存储 温度 范围 t
stg
-65 至 +175
°
c
操作 接合点 温度 t
j
200
°
c
备注 -
注意事项
-mos 设备 是 易感 至 损伤 从 静电 费用. 合理 注意事项 入点 搬运 和
包装 mos 设备 应该 是 观察到的.
文件 号码: mrf6s20010n
rev. 0, 12/2005
飞思卡尔 半导体
技术类 数据
1600-2200 mhz, 10 w, 28 v
gsm/gsm 边缘
单独 n-CDMA
2 x w-CDMA
横向 n-频道
rf 电源 mosfets
MRF6S20010NR1
MRF6S20010GNR1
案例 1265-08, 风格 1
至-270-2
塑料
MRF6S20010NR1
案例 1265a-02, 风格 1
至-270-2 海鸥
塑料
MRF6S20010GNR1
飞思卡尔 半导体, 股份有限公司., 2005. 全部 权利 保留.
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