mrf6s21060nr1 mrf6s21060nbr1
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rf 设备 数据
飞思卡尔 半导体
rf 电源 字段 效果 晶体管
n-频道 增强功能-模式 横向 mosfets
设计用于 w-cdma 底座 车站 应用程序 与频率 从 2110
至 2170 mhz. 适合 用于 tdma, cdma和 多载波 放大器 应用程序-
区域. 至 是 已使用 入点 类 ab fo右 pcn - pcs/ce?llul一个右 右一个d我o 一个nd wll
应用程序.
•
典型 2-承运人 w-cdma 业绩: v
dd
= 28 伏特,
我
DQ
= 610 ma, p
出点
= 14 瓦特 平均值.,
已满 频率 乐队, 频道
带宽 = 3.84 mhz, par = 8.5 db @ 0.01% 概率 开启 ccdf.
电源 增益 — 15.5 db
排水管 效率 — 26%
im3 @ 10 mhz 偏移量 —-37 dbc 入点 3.84 mhz 带宽
acpr @ 5 mhz 偏移量 —-40 dbc 入点 3.84 mhz 带宽
•
有能力 的 搬运 5:1 vswr, @ 28 vdc, 2140 mhz, 60 瓦特 cw
输出 电源
•
表征 与 系列 等效 大型-信号 阻抗 参数
•
内部 匹配 用于 轻松 的 使用
•
合格 向上 至 一个 最大值 的 32 v
dd
操作
•
综合 esd 保护
•
设计 用于 下部 记忆 效果 和 宽 瞬时 带宽
应用程序
•
200
c 有能力 塑料 包装
•
n 后缀 表示 铅-免费 终端. rohs 符合.
•
入点 胶带 和 卷轴. r1 后缀 = 500 单位 按 44 mm, 13 英寸 卷轴.
表 1. 最大值 额定值
评级 符号 值 单位
排水管-来源 电压 v
DSS
-0.5, +68 Vdc
闸门-来源 电压 v
gs
-0.5, +12 Vdc
存储 温度 范围 t
stg
- 65 至 +150
°
c
操作 接合点 温度 t
j
200
°
c
表 2. 热 特性
特性 符号 值
(1,2)
单位
热 电阻, 接合点 至 案例
案例 温度 79
°
c, 60 w cw
案例 温度 76
°
c, 14 w cw
右
θ
jc
0.89
1.04
°
c/w
1. mttf 计算器 可用 在 http://www.飞思卡尔.com/rf. 选择 工具/软件/应用程序 软件/计算器 至 访问权限
这 mttf 计算器 由 产品.
2. 参考 至 an1955,
热 测量 方法论 的 rf 电源 放大器.
走 至 http://www.飞思卡尔.com/rf.
选择 文档/应用程序 备注-an1955.
备注 -
注意事项
-mos 设备 是 易感 至 损伤 从 静电 费用. 合理 注意事项 入点 搬运 和
包装 mos 设备 应该 是 观察到的.
文件 号码: mrf6s21060n
rev. 2, 1/2006
飞思卡尔 半导体
技术类 数据
MRF6S21060NR1
MRF6S21060NBR1
2110-2170 mhz, 14 w 平均值., 28 v
2 x w-CDMA
横向 n-频道
rf 电源 mosfets
案例 1486-03, 风格 1
至-270 wb-4
塑料
MRF6S21060NR1
案例 1484-03, 风格 1
至-272 wb-4
塑料
MRF6S21060NBR1
飞思卡尔 半导体, 股份有限公司., 2006. 全部 权利 保留.
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