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MRF6522–10R1
摩托罗拉 rf 设备 数据
这 rf 场效应晶体管 线
n–channel enhancement–mode 横向 场效应晶体管
设计 用于 类 a–ab 普通 来源, 线性 电源 放大器 入点 这
960 mhz 范围. 这 mrf6522–10r1 有 被 具体而言 设计 用于 使用
入点 通信 网络 (gsm) 底座车站. 这 包装 优惠 这
优势 的 smd.
•
指定 26 伏特, 960 mhz, 类 ab 特性
输出 电源 = 10 瓦特 cw
电源 增益 = 15 db 最小 @ 960 mhz, 10 瓦特 cw
排水管 效率 = 48% 最小 @ 960 mhz, 10 瓦特 cw
•
优秀 热 稳定性
•
表征 与 系列 等效 large–signal
阻抗 参数
•
s–parameter 表征 在 高 偏差 级别
•
底部 侧面 来源 消除 直流 隔离器,
减少 普通 模式 电感
•
入点 胶带 和 卷轴. r1 后缀 = 500 单位 按
12 mm, 7 英寸 卷轴.
最大值 额定值
评级 符号 值 单位
drain–source 电压 v
DSS
65 Vdc
gate–source 电压 v
gs
±
20 Vdc
合计 设备 耗散 @ t
c
= 25
°
c
降额 以上 25
°
c
p
d
29
0.17
瓦特
w/
°
c
存储 温度 范围 t
stg
–65 至 +150
°
c
操作 接合点 温度 t
j
200
°
c
热 特性
特性 符号 最大值 单位
热 电阻, 接合点 至 案例 (1) 右
θ
jc
4.0
°
c/w
电气 特性
(t
c
= 25
°
c 除非 否则 已注明)
特性
符号 最小 Typ 最大值 单位
关 特性
drain–source 击穿 电压
(v
gs
= 0 vdc, 我
d
= 0.2 ma)
v
(br)dss
65 — — Vdc
零 闸门 电压 排水管 电流
(v
ds
= 26 vdc, v
gs
= 0 vdc)
我
DSS
— — 1.0
µ
adc
gate–source 泄漏 电流
(v
gs
= 20 vdc, v
ds
= 0 vdc)
我
GSS
— — 1.0
µ
adc
(1) 热 电阻 是 已确定 下 指定 rf 操作 条件.
备注 –
注意事项
– mos 设备 是 易感 至 损伤 从 静电 费用. 合理 注意事项 入点 搬运 和
包装 mos 设备 应该 是 观察到的.
订单 这个 文件
由 mrf6522–10/d
半导体 技术类 数据
960 mhz, 10 w, 26 v
横向 n–channel
rf 电源 场效应晶体管
案例 458c–03, 风格 1
NI–200Z
摩托罗拉, 公司 2002
rev 2
已存档 由 飞思卡尔 semiconductor, 公司 2005
已存档 2005
一个
右
c
h
我
v
e?
d
2
0
0
5
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