MHL18336N
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rf 设备 数据
飞思卡尔 半导体
pcs 乐队
rf 线性 ldmos 放大器
设计用于 超-线性 放大器 应用程序 入点
50 欧姆 系统
s 操作 入点
这 pcs 频率 乐队. 一个 硅 场效应晶体管 类 一个 设计 提供 未结清
线性度 和 增益. 入点 加法, 这 优秀 集团 延迟 和 相位 线性度
特性是 理想 用于 数字 调制 系统, 这样的 作为 tdma 和
cdma.
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第三 订单 截距: 46 dbm 典型值
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电源 增益: 30 db 典型值 (@ f =1850 mhz)
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优秀 相位 线性度 和 集团 延迟 特性
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理想 用于 前馈 底座 车站 应用程序
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已更换 mhl18336. 那里 是 否 窗体, 适合 或 功能 变更 与 这个
零件 更换.
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n 后缀 表示 铅-免费 终端
表 1. 绝对 最大值 额定值
(t
c
= 25
°
c 除非 否则 已注明)
评级 符号 值 单位
直流 供应 电压 v
dd
30 Vdc
rf 输入 电源 p
入点
+10 dBm
存储 温度 范围 t
stg
- 40 至 +100
°
c
操作 案例 温度 范围 t
c
- 20 至 +100
°
c
表 2. 电气 特性
(v
dd
= 26 vdc, t
c
= 25
°
c; 50
Ω
系统)
特性 符号 最小 Typ 最大值 单位
供应 电流 我
dd
— 500 525 ma
电源 增益 (f =1850 mhz) g
p
29 30 31 db
增益 平整度 (f = 1800 - 1900 mhz) g
f
— 0.2 0.4 db
电源 输出 @ 1 db 比较. (f = 1850 mhz) p
出点
1 db 35 36 — dBm
输入 vswr (f = 1800 - 1900 mhz) VSWR
入点
— 1.2:1 1.5:1
第三 订单 截距 (f1 = 1847 mhz, f2 = 1852 mhz) ITO 45 46 — dBm
噪声 图 (f = 1850 mhz) nf — 4.2 4.5 db
文件 号码: mhl18336n
rev. 4, 7/2005
飞思卡尔 半导体
技术类 数据
MHL18336N
1800-1900 mhz
4 w, 30 db
rf 线性 ldmos 放大器
案例 301ap-02, 风格 1
使用寿命 买
最后一个 订单 05 8月 06 最后一个 船舶 03 二月 07
飞思卡尔 半导体, 股份有限公司., 2005, 2006. 全部 权利 reserved.