8m (512k x 16) 静态的 内存
CY62157DV20
MoBL2
Cypress 半导体 公司
• 3901 北 第一 街道 • San Jose • ca 95134 • 408-943-2600
文档 #: 38-05136 rev. *b 修订 march 17, 2003
特性
• 非常 高 速: 55 ns
• 宽 电压 范围: 1.65v
至
2.2v
• 管脚 兼容 和 cy62157cv18
• 过激 低 起作用的 电源
— 典型 起作用的 电流: 1 毫安 @ f = 1 mhz
— 典型 起作用的 电流: 10 毫安 @ f = fmax
• 过激 低 备用物品 电源
• 容易 记忆 expansion 和 ce
1
, ce
2
和 oe特性
• 自动 电源-向下 当 deselected
• cmos 为 最佳的 速/电源
• 包装 offered 在 一个 48-球 fbga
函数的 描述
[1]
这 cy62157dv20 是 一个 高-效能 cmos 静态的 内存
有组织的 作 512k words 用 16 位. 这个 设备 特性
先进的 电路 设计 至 提供 过激-低 起作用的 电流.
这个 是 完美的 为 供应 更多 电池 生命
(mobl
) 在
可携带的 产品 此类 作 cellular telephones. 这 设备
也 有 一个 自动 电源-向下 特性 那 significantly
减少 电源 消耗量 用 99% 当 地址 是 不
toggling. 这 设备 能 也 是 放 在 备用物品 模式 当
deselected 碎片 使能 1 (ce
1
) 高 或者 碎片 使能 2 (ce
2
)
低 或者 两个都 bhe
和 ble是 高. 这 输入/输出 管脚
(i/o
0
通过 i/o
15
) 是 放置 在 一个 高-阻抗 状态
当: deselected 碎片 使能 1 (ce
1
) 高 或者 碎片 使能
2 (ce
2
) 低, 输出 是 无能 (oe高), 两个都 字节 高
使能 和 字节 低 使能 是 无能 (bhe, ble高)
或者 在 一个 写 运作 (碎片 使能 1 (ce
1
) 低 和
碎片 使能 2 (ce
2
) 高 和 我们低).
writing 至 这 设备 是 accomplished 用 带去 碎片 使能 1
(ce
1
) 低 和 碎片 使能 2 (ce
2
) 高 和 写 使能
(我们) 输入 低. 如果 字节 低 使能 (ble) 是 低, 然后 数据
从 i/o 管脚 (i/o
0
通过 i/o
7
), 是 写 在 这 location
指定 在 这 地址 管脚 (一个
0
通过 一个
18
). 如果 字节 高
使能 (bhe) 是 低, 然后 数据 从 i/o 管脚 (i/o
8
通过
i/o
15
) 是 写 在 这 location 指定 在 这 地址 管脚
(一个
0
通过 一个
18
).
读 从 这 设备 是 accomplished 用 带去 碎片
使能 1 (ce
1
) 低 和 碎片 使能 2 (ce
2
) 高 和
输出 使能 (oe) 低 当 forcing 这 写 使能 (我们)
高. 如果 字节 低 使能 (ble
) 是 低, 然后 数据 从 这
记忆 location 指定 用 这 地址 管脚 将 呈现 在
i/o
0
至 i/o
7
. 如果 字节 高 使能 (bhe) 是 低, 然后 数据 从
记忆 将 呈现 在 i/o
8
至 i/o
15
. 看 这 真实 表格 在 这
后面的 的 这个 数据 薄板 为 一个 完全 描述 的 读 和
写 模式.
逻辑 块 图解
便条:
1. 为 最好的 实践 recommendations, 请 谈及 至 这 cypress 应用 便条
系统 设计 指导原则
在 http://www.cypress.com.
512k x 16
内存 排列
i/o
0
–i/o
7
行 解码器
一个
8
一个
7
一个
6
一个
5
一个
2
column 解码器
一个
11
一个
12
一个
13
一个
14
一个
15
2048 x 256 x 16
sense 放大器
数据 在 驱动器
OE
一个
4
一个
3
i/o
8
–i/o
15
我们
BLE
BHE
一个
16
一个
0
一个
1
一个
17
一个
9
一个
18
一个
10
电源 - 向下
电路
BHE
BLE
CE
2
CE
1
CE
2
CE
1
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