1
1
2
3
4
8
7
6
5
cs
所以
WP
地
VCC
保持
sck
si
8-铅 pdip
1
2
3
4
8
7
6
5
cs
所以
WP
地
VCC
保持
sck
si
8-铅 soic
1
2
3
4
8
7
6
5
cs
所以
WP
地
VCC
保持
sck
si
8-铅 tssop
1
2
3
4
8
7
6
5
VCC
保持
sck
si
cs
所以
WP
地
8-铅 sap
VCC
保持
sck
s
我
cs
所以
WP
地
1
2
3
4
8
7
6
5
8-球 dbga2
底部 查看
底部 查看
特点
•
串行 外围设备 接口 (spi) 兼容
•
支架 spi 模式0 (0,0) 和 3 (1,1)
•
数据 工作表 描述 模式 0 操作
•
低电压 和 标准-电压 操作
– 2.7 (v
抄送
= 2.7v 至 5.5v)
– 1.8 (v
抄送
= 1.8v 至 5.5v)
•
20 mhz 时钟 费率 (5v)
•
64-字节 第页 模式 和 字节 写 操作
•
块 写 保护
– 保护 1/4, 1/2, 或 整个 阵列
•
写 保护 (wp) 管脚 和 写 禁用 说明 用于
两者都有 硬件 和 所以ftware 数据 保护
•
自定时 写 循环 (5 ms 最大值)
•
高可靠性
– 耐力: 1 百万 写 循环次数
– 数据 保留: >100 年
•
汽车 等级, 扩展 温度声光 和 铅-免费/卤素-免费
设备 可用
•
8-铅 pdip, 8-铅 eiaj 所以集成电路, 8-铅 电子元件工业联合会 soic, 8-铅tssop, 8-球 dbga2 和
8-铅 sap 软件包
•
模具 销售: 晶圆 窗体, waffle 空调组件, 和 碰撞 模具
描述
这 at2512
8
一个/256a 提供 1
3
1,072/262,144 比特 的 seri
一个
l 电动
一个
lly-er
一个
s
一个
ble
程序
一个
mm
一个
ble re
一个
d 仅 记忆 (可擦可编程只读存储器) org
一个
nized
一个
s 16,
38
4/
3
2,76
8
字词 的
8
比特 e?
一个
ch. 这 设备 是 优化 用于 使用 入点 m
一个
纽约 industri
一个
l
一个
钕 commerci
一个
l
一个
ppli-
c
一个
区域 在哪里 低功耗
一个
钕 低电压
一个
通用电气 操作
一个
操作
一个
re essenti
一个
l. 这 设备
一个
re
一个
v
一个
il
一个
ble 入点 sp
一个
ce s
一个
ving
8
-乐
一个
d pdip,
8
-乐
一个
d eiaj
s
oic,
8
-乐
一个
d 电子元件工业联合会
s
oic,
8
-
乐
一个
d t
ss
op,
8
-b
一个
ll dbga2
一个
钕
8
-乐
一个
d
s
ap p
一个
ck
一个
ges. 入点
一个
ddition, 这 整个 f
一个
mily 是
一个
v
一个
il
一个
ble 入点 2.7v (2.7v 至 5.5v)
一个
钕 1.
8
v (1.
8
v 至 5.5v) 版本.
这 at2512
8
一个/256a 是 en
一个
放血 通过 这 芯片
s
选举 管脚 (c
s
)
一个
钕
一个
已安装 六
一个
一个
3
-电线 interf
一个
ce 由 的
s
eri
一个
l d
一个
t
一个
输入 (
s
我),
s
eri
一个
l d
一个
t
一个
输出 (
s
o),
一个
钕
s
eri
一个
l 时钟 (
s
ck). 全部 程序
一个
减肥法 循环次数
一个
re 完全 自我-定时,
一个
钕 否 9月
一个
-
右
一个
te er
一个
se 循环 是 必填项 之前 写.
表 1.
管脚 配置
一个
区域
管脚 姓名 功能
c
s
芯片
s
选举
s
ck
s
eri
一个
l d
一个
t
一个
时钟
s
我
s
eri
一个
l d
一个
t
一个
输入
s
o
s
eri
一个
l d
一个
t
一个
输出
地 接地
VCC 电源
s
供应
WP
写 保护
保持
s
uspends
s
eri
一个
l 输入
nc 否 连接
33
6
8
H–
s
EEPR–
8
/05
spi 串行
EEPROMs
128k (16,384 x 8)
256k (32,768 x 8)
AT25128A
AT25256A
: 点此下载
