13005
晶体管npn
特点
电源 耗散
p
厘米
: 1.5 wt amb=25
收集器 电流
我
厘米:
4一个
c分光镜-底座 电压
v
(br)CBO
: 700v
操作正在处理 和 存储 接合点 温度 范围
t
j
t
stg
:-55至 +150
电气 特性 tamb=25 除非 否则 指定
p参数
符号 测试一下 条件 最小 典型值 最大值 单位
收集器-底座 击穿 电压
v(br)
CBO
我c= 1000µ一个我
e?
=0
700 v
收集器-发射器 击穿 体积tage
v(br)
CEO
我c=10m一个我
B
=0
400 v
发射器-底座 击穿 电压
v(br)
EBO
我
e?
= 1000µ一个我
c
=0
9 v
收集器 剪切-关 电流
我
CBO
v
cb
= 700 v我
e?
=0
1000 µA
收集器 剪切-关 电流
我
CEO
v
ce
= 400 v我
B
=0
100 µA
发射器 剪切-关 电流
我
EBO
v
eb
= 9 v我
c
=0
1000 µA
直流 电流 增益
h
铁
v
ce
=5 v, 我
c
=1000m一个 10 40
收集器-发射器 饱和度 电压
v
ce
(sat) 我
c
=2000m一个,我
B
=500m一个 0.6 v
Base-发射器 饱和度 电压
v
是
(sat) 我
c
=2000m一个, 我
B
=500m一个 1.6 v
过渡 频率
f
t
v
ce?
=10 v, 集成电路=500ma
f = 1mhz
5 MHz
坠落 时间
t
f
0.9 µs
存储 时间
t
s
我
B1
=-我
B2
=0.4a, 我
c
=2A
v
抄送
=120V
4 µs
分类 的h
铁
等级
范围
10-15 15-20 20-25 25-30 30-35 35-40
1 2 3
至 220
1.底座
2.收集器
3.发射器
hsin 半导体 pte 有限公司
www.hsin.com.s
g
晶体管
(npn)
13005
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