>┊
首页 | 最新需求 | 最新现货 | IC库存 | 供应商 | IC英文资料库 | IC中文资料库 | IC价格 | 电路图 | 应用资料 | 技术资料
 IC型号: 
您现在的位置:首页 >  IC英文资料库 进入手机版 
 
资料编号:1132767
 
资料名称:1N5819G
 
文件大小: 118.26K
   
说明
 
介绍:
Switching Diodes
 
 


: 点此下载
 
1
浏览型号1N5819G的Datasheet PDF文件第2页
2
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
1N5817G
直通
1N5819g
1.0放大器肖特基
护栏整流器
2040伏特
特点
用于 表面 安装 应用程序
低 电源 loss, 高e?效率
高 电流 能力, 低 前进 电压 掉落.
高 浪涌 能力
用于 使用 入点 低 电压, 高 频率 逆变器, 免费 轮转,
和 极性 保护 应用程序s.
高 温度 soldeing 保证: 250
°
c/10 秒 在
终端ls
最大值 额定值
案例: 模制 玻璃 车身
操作 温度:-55
°
c 至 +150
°
c
存储 温度:-55
°
c 至 +150
°
c
典型热 电阻; 30
°
c/w 接合点 至 铅
75
°
c/wj功能 至 环境
MCC
零件 号码
最大值
Recurrent
峰值 反向
电压
最大值
rms 电压
最大值 直流
阻塞
电压
1N5817G20V14v20v
1N5818g30V21v30v
1N5819g40V28V40V
电气 特性 @ 25
°
c 除非 否则 指定
平均值 用于病房
电流
f(av)
1.0at
一个
=25
°
c*
峰值 前进 浪涌
电流
FSM
30A8.3ms, 一半 正弦
最大值
瞬时
前进 电压
v
f
0.5v
调频
=1.0a;
t
j
= 25
°
C*
最大值 直流
反向 电流 在
额定 直流 阻塞
电压
1.0m一个
10m一个
t
j
= 25
°
c
t
j
=125
°
c
典型 接合点
电容
c
j
110pF 已测量 在
1.0mhz, v
=4.0v
*pulse 测试一下: 脉冲 宽度 300
µ
秒, 职责 循环 1%

omp
onents
20736 marilla
街道 chatsworth



MCC
一个
B
c
d
d
阴极
标记
最小最大值最小最大值
一个0.1660.2054.107.60
B0.0800.1072.003.60直径
c0.0260.0340.700.90直径
d1.000-----25.40-----
尺寸
昏暗
英寸
mm
备注
do-41G
www.mccsemi.com
修订: 3 2002/12/31
tm
微型 商业 组件
资料评论区:
点击回复标题作者最后回复时间

标 题:
内 容:
用户名:
手机号:    (*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)
      
关于我们 | 联系我们
电    话13410210660             QQ : 84325569   点击这里与集成电路资料查询网联系
联系方式: E-mail:CaiZH01@163.com