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资料编号:1132858
 
资料名称:D882SS
 
文件大小: 60.1K
   
说明
 
介绍:
NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
utc d882ss NPN外延的晶体管
UTC
unisonic 科技 co. 有限公司
1
qw-r206-018,一个
中等 电源 低 电压
晶体管
特性
*high 电流 输出 向上 至 3a
*low 饱和 电压
*complement 至 b772ss
产品
* 音频的 电源 放大器
* 直流-直流 convertor
* 电压 调整器
标记
sot-23
1
2
3
绝对 最大 比率
( ta=25
°
c ,除非 否则 指定 )
参数 标识 比率 单位
集电级-根基 电压 V
CBO
40 V
集电级-发射级 电压 V
CEO
30 V
发射级-根基 电压 V
EBO
5 V
集电级 消耗( tc=25
°
c) pc 10 W
集电级 消耗( ta=25
°
c) pc 1 W
集电级 电流(直流) Ic 3 一个
集电级 电流(脉冲波) Ic 7 一个
根基 电流 I
B
0.6 一个
接合面 温度 T
j
150
°
C
存储 温度 T
STG
-55 ~ +150
°
C
电的 特性
(ta=25
°
c,除非 否则 指定)
参数 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
集电级 截-止 电流 I
CBO
V
CB
=30v,i
E
=0 1000 na
发射级 截-止 电流 I
EBO
V
EB
=3v,ic=0 1000 na
直流 电流 增益(便条 1) h
FE1
h
FE2
V
CE
=2v,ic=20ma
V
CE
=2v,ic=1a
30
100
200
150
400
集电级-发射级 饱和 电压 V
CE
(sat) ic=2a,i
B
=0.2a 0.3 0.5 v
根基-发射级 饱和 电压 V
(sat) ic=2a,i
B
=0.2a 1.0 2.0 v
电流 增益 带宽 产品 f
T
V
CE
=5v,ic=0.1a 80 mhz
输出 电容 Cob V
CB
=10v,i
E
=0,f=1mhz 45 pf
D82
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