shenzhen si 半导体 一氧化碳., 有限公司.产品 规格
si 半导体
2004.10
1
mje 系列 晶体管
MJE13001
特点
高 电压 能力
高 速度 开关 宽 soa
应用程序:
荧光 灯 电子 镇流器
绝对 最大值 额定值 TC=25
°
c 至-92
参数 符号 值 单位
收集器-底座 电压 v
CBO
500 v
集电极-发射极 电压 v
CEO
400 v
发射器- 底座 电压 v
EBO
9 v
收集器 电流 我
c
0.3 一个
合计 电源 耗散 p
c
7 w
接合点 温度 Tj 150
°
c
存储 温度 Tstg -65-150
°
c
电子 特性 tc=25
°
c
特性 符号 测试一下 条件 最小 最大值 单位
收集器-底座 截止 电流 我
CBO
v
cb
=500v 100
一个
集电极-发射极 截止 电流 我
CEO
v
ce
=400v,我
B
=0 250
一个
集电极-发射极 电压 v
CEO
我
c
=10ma,我
B
=0 400 v
发射器- 底座 电压 v
EBO
我
e?
=1ma,我
c
=0 9 v
我
c
=0.05a, ,我
B
=0.01a0.5
我
c
=0.1a,我
B
=0.02a 1.0
集电极-发射极 饱和度 电压 Vces
我
c
=0.3a,我
B
=0.1a 3.0
v
基极-发射极 饱和度 电压 v
BES
我
c
=0.1a,我
B
=0.02a 1.5 v
v
ce
=5v,我
c
=1ma 8
v
ce
=5v,我
c
=20ma 10 40
直流 电流 增益 h
铁
v
ce
=5v,我
c
=200ma 8
存储 时间 t
s
2.0
坠落 时间 t
f
v
抄送
=250v,
我
c
=5I
B
我
B1
= -我
B2
=0.04a
0.8
µ
s
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