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资料编号：118488
 
资料名称：2SA921
 
文件大小： 37.26K
   
说明：
 
介绍:
Silicon NPN epitaxial planer type
 
 


: 点此下载
 
1 		浏览型号2SA921的Datasheet PDF文件第2页
2 		 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
1
晶体管
2SA921
硅 pnp 外延 planer 类型
用于 高 击穿 电压 低噪声 放大
互补 至 2sc1980
■
特点
●
高 收集器 至 发射器 电压 v
CEO
.
●
低 噪声 电压 nv.
■
绝对 最大值 额定值
(助教=25˚c)
单位: mm
参数
收集器 至 底座 电压
收集器 至 发射器 电压
发射器 至 底座 电压
峰值 收集器 电流
收集器 电流
收集器 电源 耗散
接合点 温度
存储 温度
1:发射器
2:收集器
3:底座
电子元件工业联合会:to–92
eiaj:sc–43a
5.0
±
0.2 4.0
±
0.2
5.1
±
0.213.5
±
0.5
0.45
+0.2
–0.1
0.45
+0.2
–0.1
1.27 1.27
2.3
±
0.2
2.54
±
0.15
213
符号
v
CBO
v
CEO
v
EBO
我
cp
我
c
p
c
t
j
t
stg
额定值
–120
–120
–5
–50
–20
250
150
–55 ~ +150
单位
v
v
v
ma
ma
mW
˚C
˚C
■
电气 特性
(助教=25˚c)
参数
收集器 截止 电流
收集器 至 底座 电压
收集器 至 发射器 电压
发射器 至 底座 电压
前进 电流 转让 比率
过渡 频率
噪声 电压
符号
我
CBO
我
CEO
v
CBO
v
CEO
v
EBO
h
铁
*
v
ce(sat)
f
t
nv
条件
v
cb
= –50v, 我
e?
= 0
v
ce
= –50v, 我
B
= 0
我
c
µ
一个, 我
e?
我
c
= –1ma, 我
B
= 0
我
e?
µ
一个, 我
c
v
ce
= –5v, 我
c
= –2ma
我
c
= –20ma, 我
B
= –2ma
v
cb
e?
= 2ma, f = 200mhz
v
ce
= –40v, 我
c
= –1ma, g
v
= 80db
右
g
= 100k
Ω
, 功能 扁平
最小
–120
–120
–5
180
典型值
200
最大值
–100
–1
520
– 0.6
150
单位
不适用
µ
一个
v
v
v
v
MHz
mv
*
h
铁
等级 分类
等级 右 s
h
铁
180 ~ 360 260 ~ 520
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