先进的 电源
n-频道 增强 模式
electronics corp.
电源 场效应晶体管
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低 在-阻抗
BV
DSS
20V
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有能力 的 2.5v 门 驱动
R
ds(在)
28m
Ω
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▼
▼
低 驱动 电流
I
D
4.6a
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▼
▼
▼
表面 挂载 包装
描述
绝对 最大 比率
标识 单位
V
DS
V
V
GS
V
I
D
@T
一个
=25
℃
一个
I
D
@T
一个
=70
℃
一个
I
DM
一个
P
D
@T
一个
=25
℃
W
w/
℃
T
STG
℃
T
J
℃
标识 值 单位
rthj-amb 热的 阻抗 接合面-包围的
3
最大值 125
℃
/w
数据 和 规格 主题 至 改变 没有 注意
20112502
AP9926EO
参数 比率
流-源 电压 20
门-源 电压 ± 12
持续的 流 电流
3
4.6
持续的 流 电流
3
3.7
搏动 流 电流
1
20
总的 电源 消耗 1
-55 至 150
运行 接合面 温度 范围 -55 至 150
直线的 减额 因素 0.008
热的 数据
参数
存储 温度 范围
这 先进的 电源 mosfets 从 apec 提供 这
设计者 和 这 最好的 结合体 的 快 切换,
加固 设备 设计, 过激 低 在-阻抗 和
费用-成效.
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S1
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