功能
s
•
综合 图书馆 的 标准 逻辑 和 我/o 细胞
•
atc18rha 核心 和 io18 衬垫设计 至 操作 与 v
dd
= 1.8v +/- 0.15v 作为 主
条件
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io33 衬垫 图书馆 提供 接口 至 3.3+/-0.3v 环境
•
记忆 细胞 已编译 或 合成 至 这 要求 的 这 设计
•
edac 图书馆
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seu 硬化 dff’s
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冷 sparing 缓冲区
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高 速度 lvds 缓冲区 (655mbps)
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pci 缓冲区
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预定义 模具 尺码 至 容纳 standardized 软件包 和 esa (european
空间 代理机构) 多-项目 晶圆 服务
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mqfp 包装 向上 至 352 针脚 (336 信号 针脚)
•
mcga 软件包 向上 至 625 针脚 (593 信号 针脚)
•
esd 更好 比 2000v
•
保证 程序 允许:
– 测试 飞行 型号 至 escc 和 qml q &放大器; v 质量 等级
– 监测 重型 离子 闩锁 免疫 和 合计 剂量 能力 更好 比
100 krads.
描述n
这 atc18rha 是 预制 开启 一个 proprietary 0.18 µm, 六个-金属-图层 cmos 专业版-
cess 预期 用于 使用 与 一个 供应 电压 的1.8v ± 0.15v. 表 1 显示 这 范围
的 推荐 操作 条件 用于 哪个 atmel 图书馆 细胞 有 被
表征.
这 atmel 细胞 图书馆 和 记忆 编译rs 有 被 设计 和 或 字符-
已实现 入点 订单 至 是 兼容 与 每个其他. 仿真 表示法 存在 用于
三个 类型 的 操作 条件. 他们对应 至 三个 表征 condi-
操作 集 已定义 作为 跟随:
• 最小 条件:
–– t
j
= -55°c
–– v
dd
(细胞) = 1.95v
– – 流程 = 快 (0.95)
• 典型值 条件:
–– t
j
= +25°c
–– v
dd
(细胞) = 1.8v
– – 流程 = 典型 (1)
助教ble?1.
推荐 操作 条件
符号 参数 条件 最小 典型值 最大值 单位
Vdd 直流 供应 电压
核心 &放大器;
标准 ios 1.65 1.8 1.95 v
vdd3.3 直流 供应 电压 3v 接口 io 3 3.3 3.6 v
六 直流 供应 电压 0 Vdd v
vo 直流 供应 电压 0 Vdd v
temp
操作 免费 空气
温度 范围 军事 -55 +125 °C
rad. 硬
0.18 µm cmos
细胞-基于 asic
用于 空间 使用
ATC18RHA
4261b–aero–06/05
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