74AUP1GU04_集成电路资料查询网

1. 一般 描述
这 74aup1gu04 是 一个 高-效能, 低-电源, 低-电压, si-门 cmos device,
更好的 至 大多数 先进的 cmos 兼容 families.
这个 设备 确保 一个 非常 低 静态的 和 动态 电源 消耗量 横过 这 全部
V
CC
范围 从 0.8 v 至 3.6 v.
这 74aup1gu04 提供 这 单独的 unbuffered 反相的 门.
2. 特性
■
宽 供应 电压 范围 从 0.8 v 至 3.6 V
■
高 噪音 免除
■
静电释放 保护:
◆
hbm jesd22-a114-c 超过 2000 V
◆
mm jesd22-a115-一个 超过 200 V
◆
cdm jesd22-c101-c 超过 1000 V
■
低 静态的 电源 消耗量; i
CC
= 0.9
µ
一个 (最大)
■
获得-向上 效能 超过 100 毫安 每 jesd 78 类 ii
■
输入 接受 电压 向上 至 3.6 V
■
多样的 包装 选项
■
speciﬁed 从
−
40
°
Cto+85
°
c 和
−
40
°
C 至 +125
°
C
74AUP1GU04
低-电源 unbuffered 反相器
rev. 01 — 10 8月 2005 产品 数据 薄板

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1. 一般描述这 74aup1gu04 是一个高-效能, 低-电源, 低-电压, si-门 cmos device, 更好的至大多数先进的 cmos 兼容 families. 这个设备确保一个非常低静态的和动态电源消耗量横过这全部 V CC 范围从 0.8 v 至 3.6 v. 这 74aup1gu04 提供这单独的 unbuffered 反相的门. 2. 特性 ■ 宽供应电压范围从 0.8 v 至 3.6 V ■ 高噪音免除 ■ 静电释放保护: ◆ hbm jesd22-a114-c 超过 2000 V ◆ mm jesd22-a115-一个超过 200 V ◆ cdm jesd22-c101-c 超过 1000 V ■ 低静态的电源消耗量; i CC = 0.9 µ 一个 (最大) ■ 获得-向上效能超过 100 毫安每 jesd 78 类 ii ■ 输入接受电压向上至 3.6 V ■ 多样的包装选项 ■ speciﬁed 从 − 40 ° Cto+85 ° c 和 − 40 ° C 至 +125 ° C 74AUP1GU04 低-电源 unbuffered 反相器 rev. 01 — 10 8月 2005 产品数据薄板

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