特点:
•
高 增益 带宽 产品
f
t
= 10 ghz 典型值 @ 我
c
= 10 ma
•
低 噪声 图
1.6 db 典型值 在 1 ghz
2.0 db 典型值 在 2 ghz
•
高 增益
|s
21
|
2
= 18.1 db @ 1 ghz
12.8 db @ 2 ghz
•
骰子, 塑料, 密封 和 表面
安装 软件包 可用
业绩 数据:
•
电气 特性 (t
一个
= 25
o
c)
npn 低 噪声 硅 微型w一个ve transist或
产品d一个t一个工作表
bipolarics,公司 零件 号码 b12v105
符号 参数 &放大器; 条件 单位 最小值 典型值 最大值
v
ce
=8v, 我
c
= 10 ma 除非 声明
v
CBO
收集器-底座 电压 20 v
v
CEO
集电极-发射极 电压 12 v
v
EBO
发射器-底座 电压 1.5 v
我
c 控制
收集器 电流 40 ma
t
j
接合点 温度 200
o
c
t
stg
存储 温度 -65 至 150
o
c
符号 参数 评级 单位
绝对 最大值 额定值:
插入 电源 增益: f = 1.0 ghz, 我
c
= 10 ma 17.5
我
c
= 25 ma 18.1
f = 2.0 ghz, 我
c
= 10 ma 12.8
我
c
= 25 ma 12.6
nf
噪声 图: v
ce
=8v, 我
c
= 2ma f = 1.0 ghz db 1.6
z
s
= 50
Ω
c
cb
收集器 底座 电容: v
cb
= 8v f = 1mhz pf 0.11
我
CBO
收集器 截止 电流 : v
cb
=8V
µ
一个 0.2
v
ce
= 8v, 我
c
= 10 ma
f
t
|S
21
|
2
增益 带宽 产品 GHz 10
p
1dB
电源 输出 在 1db 压缩: f = 1.0 ghz dBm 12
g
1d B
增益 在 1db 压缩: f = 1.0 ghz dBm 15
h
铁
前进 电流 转让 比率: f = 1mhz 50 100 250
我
EBO
发射器 截止 电流 : v
eb
=1V
µ
一个 1.0
描述 和 应用程序:
bipolarics' b12v105 是 一个 高 业绩 硅 双极性
晶体管 预期 用于 使用 入点 低 噪声 应用程序 在 vhf,
uhf 和 微波炉 频率. 高 业绩 低
噪声 业绩 可以 是 已实现 在 2 ma 或 较少 制作 这
b12v105 一个 优秀 选择 用于 蓄电池 应用程序. 从
10 ma 至 更大 比 25 ma, f
t
是 名义上 10ghz.
最大值 推荐 连续 电流 是 40 ma. 一个
广泛的 范围 的 软件包 是 提供 包括 sot-23, sot-
143, 塑料 和 陶瓷
0.0
85
"
微型-x,
0.0
70
"
带状线 和
unencapsulated 骰子.
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