1
晶体管
2sb792, 2sb792a
硅 pnp 外延 planer 类型
用于 高 击穿 电压 低噪声 放大
互补 至 2sd814
■
特点
●
高 收集器 至 发射器 电压 v
CEO
.
●
低 噪声 电压 nv.
●
迷你 类型 包装, 允许 downsizing 的 这 设备 和
自动 插入 通过 这 胶带 填料 和 这 杂志
填料.
■
绝对 最大值 额定值
(助教=25˚c)
单位: mm
参数
收集器 至
底座 电压
收集器 至
发射器 电压
发射器 至 底座 电压
峰值 收集器 电流
收集器 电流
收集器 电源 耗散
接合点 温度
存储 温度
1:底座 电子元件工业联合会:to–236
2:发射器 eiaj:sc–59
3:收集器 迷你 类型 包装
2.8
+0.2
–0.3
1.5
+0.25
–0.05
0.65
±
0.15 0.65
±
0.15
3
1
2
0.950.95
1.9
±
0.2
0.4
+0.1
–0.05
1.1
+0.2
–0.1
0.8
0.4
±
0.2
0 至 0.1
0.16
+0.1
–0.06
1.45
0.1 至 0.3
2.9
+0.2
–0.05
符号
v
CBO
v
CEO
v
EBO
我
cp
我
c
p
c
t
j
t
stg
额定值
–150
–185
–150
–185
–5
–100
–50
200
150
–55 ~ +150
单位
v
v
v
ma
ma
mW
˚C
˚C
2SB792
2SB792A
2SB792
2SB792A
■
电气 特性
(助教=25˚c)
参数
收集器 截止 电流
收集器 至 发射器
电压
发射器 至 底座 电压
前进 电流
转让 比率
收集器 至 发射器 饱和度 电压
过渡 频率
收集器 输出 电容
噪声 电压
符号
我
CBO
v
CEO
v
EBO
h
铁
*
v
ce(sat)
f
t
c
ob
nv
条件
v
cb
= –100v, 我
e?
= 0
我
c
= –100
µ
一个, 我
B
= 0
我
e?
= –10
µ
一个, 我
c
= 0
v
ce
= –5v, 我
c
= –10ma
我
c
= –30
µ
一个, 我
B
= –3ma
v
cb
= –10v, 我
e?
= 10ma, f = 200mhz
v
cb
= –10v, 我
e?
= 0, f = 1mhz
v
ce
= –10v, 我
c
= –1ma, g
v
= 80db,
右
g
= 100k
Ω
, 功能 = 扁平
最小
–150
–185
–5
130
130
典型值
200
4
150
最大值
–1
450
330
–1
单位
µ
一个
v
v
v
MHz
pf
mv
标记 符号 :
我
(2sb792)
2F
(2sb792a)
*
h
铁
等级 分类
等级 右 s t
h
铁
130 ~ 220 185 ~ 330 260 ~ 450
2SB792 红外线 是 它
2SB792A 2FR 2FS —
标记
符号
2SB792
2SB792A
2SB792
2SB792A
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