晶体管
1
出版物 日期: january 2003 SJC00057BED
2SB0790
(2sb790)
硅 pnp 外延 平面 类型
用于 低频 输出 放大
■
特点
•
低 集电极-发射极 饱和度 电压 v
ce(sat)
•
m 类型 包装 允许 容易 自动 和 手册 插入 作为
井 作为 单机 固定 至 这 已打印 电路 板.
■
绝对 最大值 额定值
t
一个
=
25
°
c
参数 符号 评级 单位
收集器-底座 电压 (发射器 打开) v
CBO
−
25 v
集电极-发射极 电压 (底座 打开) v
CEO
−
20 v
发射器-底座 电压 (收集器 打开) v
EBO
−
7V
收集器 电流 我
c
−
0.5 一个
峰值 收集器 电流 我
cp
−
1A
收集器 电源 耗散 p
c
600 mW
接合点 温度 t
j
150
°
c
存储 温度 t
stg
−
55 至
+
150
°
c
■
电气 特性
t
一个
=
25
°
c
±
3
°
c
备注) 这 零件 号码 入点 这 括号 显示 常规 零件 号码.
等级 q 右
h
FE1
90 至 155 130 至 220
单位: mm
1: 底座
2: 收集器
3: 发射器
m-a1 包装
6.9
±
0.1
2.5
±
0.1
(1.0)
(1.0)
(1.5)
(0.85)
0.45
±
0.05
0.55
±
0.1
(2.5)(2.5)
213
右 0.7
右 0.9
(0.4)
3.5
±
0.1
4.5
±
0.1
4.1
±
0.2
2.4
±
0.2
1.25
±
0.05
2.0
±
0.2
1.0
±
0.1
(1.5)
参数 符号 条件 最小 典型值 最大值 单位
收集器-底座 电压 (发射器 打开) v
CBO
我
c
=
−
10
µ
一个, 我
e?
=
0
−
25 v
集电极-发射极 电压 (底座 打开) v
CEO
我
c
=
−
1 ma, 我
B
=
0
−
20 v
发射器-底座 电压 (收集器 打开) v
EBO
我
e?
=
−
10
µ
一个, 我
c
=
0
−
7V
收集器-底座 截止 电流 (发射器 打开)
我
CBO
v
cb
=
−
25 v, 我
e?
=
0
−
0.1
µ
一个
集电极-发射极 截止 电流 (底座 打开)
我
CEO
v
ce
=
−
20 v, 我
B
=
0
−
1
µ
一个
前进 电流 转让 比率
*
1
h
FE1
*
2
v
ce
=
−
2 v, 我
c
=
−
0.5 一个 90 220
h
FE2
v
ce
=
−
2 v, 我
c
=
−
1 一个 25
集电极-发射极 饱和度 电压
*
1
v
ce(sat)
我
c
=
−
500 ma, 我
B
=
−
50 ma
−
0.4 v
基极-发射极 饱和度 电压
*
1
v
是(sat)
我
c
=
−
500 ma, 我
B
=
−
50 ma
−
1.2 v
过渡 频率 f
t
v
cb
=
−
10 v, 我
e?
=
50 ma, f
=
200 mhz 150 MHz
收集器 输出 电容 c
ob
v
cb
=
−
10 v, 我
e?
=
0, f
=
1 mhz 15 25 pf
(普通 底座, 输入 打开 电路)
备注) 1. 测量 方法是 基于 开启 japanese 工业 标准 jis c 7030 测量 方法 用于 晶体管.
2.
*
1: 脉冲 测量
*
2: 等级 分类
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