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柱状 64-02w
半导体 组
sep-07-19981
硅 管脚 二极管
•
高 电压 电流 控制
rf 电阻 为 rf attenuator 和 switches
•
频率 范围 在之上 1 mhz
•
低 阻抗 和 短的 运输车 存在期
•
非常 低 电感
•
为 发生率 向上 至 3 ghz
•
极其 小 塑料 smd 包装
1
VES05991
2
类型 标记 订货 代号 管脚 配置 包装
柱状 64-02w M q62702-a1215 1 = c 2 = 一个 scd-80
最大 比率
参数 标识 UnitValue
二极管 反转 电压
V
R
V200
100forward 电流 毫安
I
F
总的 电源 消耗,
T
S
≤
125°C
P
tot
mW250
接合面 温度
T
j
°C150
运行 温度 范围
T
运算
- 55 ...+150 °C
存储 温度
T
stg
- 55 ...+150
热的 阻抗
接合面 - 包围的
1)
R
thJA
≤
220
k/w
接合面 - 焊接 要点
R
thJS
≤
140
1) 包装 挂载 在 alumina 15mm x 16.7mm x 0.7mm
半导体 组 1 1998-11-01

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柱状 64-02w 半导体组 sep-07-19981 硅管脚二极管 • 高电压电流控制 rf 电阻为 rf attenuator 和 switches • 频率范围在之上 1 mhz • 低阻抗和短的运输车存在期 • 非常低电感 • 为发生率向上至 3 ghz • 极其小塑料 smd 包装 1 VES05991 2 类型标记订货代号管脚配置包装柱状 64-02w M q62702-a1215 1 = c 2 = 一个 scd-80 最大比率参数标识 UnitValue 二极管反转电压 V R V200 100forward 电流毫安 I F 总的电源消耗, T S ≤ 125°C P tot mW250 接合面温度 T j °C150 运行温度范围 T 运算 - 55 ...+150 °C 存储温度 T stg - 55 ...+150 热的阻抗接合面 - 包围的 1) R thJA ≤ 220 k/w 接合面 - 焊接要点 R thJS ≤ 140 1) 包装挂载在 alumina 15mm x 16.7mm x 0.7mm 半导体组 1 1998-11-01

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