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资料编号:160655
 
资料名称:BAS16HT1D
 
文件大小: 41.52K
   
说明
 
介绍:
Switching Diode
 
 


: 点此下载
 
1
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2
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3
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4
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
半导体 组件 行业, llc, 2004
二月, 2004 − rev. 3
1
出版物 订单 号码:
bas16ht1/d
BAS16HT1
首选 设备
开关 二极管
最大值 额定值
评级 符号 单位
连续 反向 电压 v
75 Vdc
峰值 前进 电流
f
200 mAdc
峰值 前进 浪涌 电流
调频(浪涌)
500 mAdc
热 特性
特性 符号 最大值 单位
合计 设备 耗散 右前-5 板 (备注 1)
t
一个
= 25
°
c
降额 以上 25
°
c
p
d
200
1.57
mW
mw/
°
c
热 电阻 接合点 至 环境
θ
ja
635
°
c/w
接合点 和 存储 温度 t
j
, t
stg
−55 至
150
°
c
1. 右前-4 最小值 衬垫.
电气 特性
(t
一个
= 25
°
c 除非 否则 已注明)
特性
符号 最小 最大值 单位
关 特性
反向 电压 泄漏 电流
(v
= 75 vdc)
(v
= 75 vdc, t
j
= 150
°
c)
(v
= 25 vdc, t
j
= 150
°
c)
1.0
50
30
µ
adc
反向 击穿 电压
(我
br
= 100
µ
adc)
v
(br)
75 Vdc
前进 电压
(我
f
= 1.0 madc)
(我
f
= 10 madc)
(我
f
= 50 madc)
(我
f
= 150 madc)
v
f
715
855
1000
1250
mv
二极管 电容
(v
= 0, f = 1.0 mhz)
c
d
2.0 pf
前进 回收 电压
(我
f
= 10 madc, t
= 20 ns)
v
右前
1.75 Vdc
反向 回收 时间
(我
f
= 我
= 10 madc, 右
l
= 50
)
t
rr
6.0 ns
已存储 费用
(我
f
= 10 madc 至 v
= 5.0 vdc,
l
= 500
)
q
s
45 pc
http://onsemi.com
SOD−323
案例 477
风格 1
标记 图表
首选
设备 是 推荐 选择 用于 未来 使用
和 最好 总体 值.
1
阴极
2
阳极
A6 = 具体 设备 代码
m = 日期 代码
设备 包装 装运
订购 信息
†for 信息 开启 胶带 和 卷轴 规格,
包括 零件 方向 和 胶带 尺码, 请
参考 至 我们的 胶带 和 卷轴 包装 规格
brochure, brd8011/d.
1
2
a6 m
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