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资料编号:160961
 
资料名称:BAV102
 
文件大小: 81.75K
   
说明
 
介绍:
Ultrafast silicon rectifier diodes
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
特性
小 信号 二极管
机械的 数据
最大 比率 和 电的 特性
比率 在
25 °c
包围的 温度 除非 否则 指定
情况:
minimelf glass 情况 (sod-80)
重量:
approx. 0.05 g
维度 在 英寸 和 (毫米)
MiniMELF
.142 (3.6)
.019 (0.48)
cathode mark
.134 (3.4)
.055 (1.4)
.011 (0.28)
4/98
bav100 thru bav103
标识 单位
反转 电压
BAV100
BAV101
BAV102
BAV103
V
R
V
R
V
R
V
R
60
120
200
250
V
V
V
V
向前 直流 电流 在 t
amb
= 25 °c I
F
250
1)
毫安
调整的 电流 (平均)
half 波 整流 和 resist. 加载
在 t
amb
= 25 °c 和 f
50 hz
I
0
200
1)
毫安
repetitive 顶峰 向前 电流
在 f
50 hz,
Θ
= 180 °c, t
amb
= 25 °c
I
FRM
625
1)
毫安
surge 向前 电流 在 t < 1 s, t
j
= 25 °c I
FSM
1A
电源 消耗 在 t
amb
= 25 °c P
tot
400
1)
mW
接合面 温度 T
j
175 °C
存储 温度 范围 T
S
–65 至 +175 °C
1)
有效的 提供 那 electrodes 是 保持 在 包围的 温度.
硅 外延的 planar 二极管
为 一般 目的
这些 二极管 是 也 有 在 其它
情况 样式 包含: 这 做-35 情况 和
这 类型 designations bav19 至 bav21, 这 sod-123
情况 和 这 类型 designations bav19w 至 bav21w,
和 这 sot-23 情况 和 这 类型 designation
bas19 - bas21.
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