©2002 仙童 半导体 公司 rev. a1, 8月 2002
BC212LB
绝对 最大值 ratings*
t
c
=25
°
c
除非 否则 已注明
* 这些 额定值 是 限制 数值 以上 哪个 这 可维修性 的 任何 半导体 设备 将 是 受损.
备注:
1. 这些 额定值 是 基于 开启 一个 最大值 接合点 温度 的 150
°
c.
2. 这些 是 稳定 州 限制. 这 工厂 应该 是 咨询 开启 应用程序 涉及 脉冲 或 低 职责 循环 运营
电气 特性
t
c
=25
°
c 除非 否则 已注明
* 脉冲 测试一下: 脉冲 宽度 &指示灯; 300
µ
s, 职责 循环 &指示灯; 2.0%
符号 参数 值 单位
v
CEO
集电极-发射极 电压 50 v
v
CBO
收集器-底座 电压 60 v
v
EBO
发射器-底座 电压 5 v
我
c
收集器 电流 - 连续 100 ma
t
j,
t
stg
操作 和 存储 接合点 温度 范围 - 55 ~ 150
°
c
符号 参数 测试一下 条件 最小值 典型值 最大值 单位
关 特性
BV
CEO
集电极-发射极 击穿 电压 我
c
= 2ma 50 v
BV
CBO
收集器-底座 击穿 电压 我
c
= 10
µ
A60V
BV
EBO
发射器-底座 击穿 电压 我
e?
= 10
µ
A5V
我
CBO
收集器 截止 电流 v
cb
= 30v 15 不适用
我
EBO
发射器 截止 电流 v
eb
= 4v 15 不适用
开启 characteristics*
h
铁
直流 电流 增益 v
ce
= 5v, 我
c
= 10
µ
一个
v
ce
= 5v, 我
c
= 2ma
40
60
v
ce
(sat) 集电极-发射极 饱和度 电压 我
c
= 100ma, 我
B
= 5ma 0.6 v
v
是
(sat) 基极-发射极 饱和度 电压 我
c
= 100ma, 我
B
= 5ma 1.4 v
v
是
(开启) 基极-发射极 开启 电压 v
ce
= 5v, 我
c
= 2ma 0.6 0.72 v
小 信号 特性
c
ob
输出 电容 v
ce
= 10v, f = 1mhz 6 pf
h
铁
小 信号 电流 增益 v
ce
= 5v, 我
c
= 2ma, f = 1khz 60
nf 噪声 图 v
ce
= 5v, 我
c
= 200
µ
一个, f = 1khz
右
g
= 2k
Ω
, bw = 200hz
10 db
BC212LB
pnp 概述 目的 放大器
• 这个 设备 是 设计 用于 概述 目的 放大器 应用程序 在
收集器 电流 至 100ma.
• 来源 从 流程 68.
1. 发射器 2. 收集器 3. 底座
至-92
1
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